半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：真田有
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-506391
特許番号：特許第6222220号
出願日： 2013年03月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板の上方に少なくとも電子走行層及び電子供給層を含む半導体積層構造を備え、前記電子供給層は、第1部分と、前記第1部分を挟む第2部分とを有し、前記第1部分は、n型不純物がドーピングされたドーピング部と、前記ドーピング部を挟み、不純物がドーピングされていないアンドーピング部とを有し、前記ドーピング部の伝導帯のエネルギーがフェルミエネルギー以下に下がらないように前記第2部分よりも伝導帯のエネルギーが高くなっており、前記第1部分及び前記第2部分は、Alを含み、前記第1部分は、前記第2部分よりもAlの組成が高く、前記第2部分は、前記第1部分に近づくにつれてAlの組成が高くなっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：