特許

J-GLOBAL ID：201803013548534321

基板乾燥方法及び基板処理装置

発明者： 関口 賢治 ,  藤井 康
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (5件)： 永井 浩之 ,  中村 行孝 ,  佐藤 泰和 ,  朝倉 悟 ,  森 秀行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-112953
公開番号（公開出願番号）：特開2018-139331
出願日： 2018年06月13日
公開日（公表日）： 2018年09月06日
要約：

【課題】表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させるにあたって、パターン倒壊を防止すること。【解決手段】表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させる基板乾燥方法は、前記基板に昇華性物質の溶液(SL)を供給して、前記パターンの凹部内に前記溶液を充填する昇華性物質充填工程と、前記溶液中の溶媒を乾燥させて、前記パターンの凹部内を固体の状態の前記昇華性物質(SS)で満たす溶媒乾燥工程と、前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱して、前記昇華性物質を基板から除去する昇華性物質除去工程と、を備えている。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させる基板乾燥方法において、 前記基板に昇華性物質の溶液を供給して、前記パターンの凹部内に前記溶液を充填する昇華性物質充填工程と、 前記溶液中の溶媒を乾燥させて、前記パターンの凹部内を固体の状態の前記昇華性物質で満たす溶媒乾燥工程と、 前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱して、前記昇華性物質を基板から除去する昇華性物質除去工程と、 を備えた基板乾燥方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (2件)：

H01L21/304 651M ,  H01L21/304 651B

Fターム (33件)：

5F157AA09 ,  5F157AA63 ,  5F157AA71 ,  5F157AA73 ,  5F157AA93 ,  5F157AB02 ,  5F157AB14 ,  5F157AB16 ,  5F157AB33 ,  5F157AB48 ,  5F157AB51 ,  5F157AB90 ,  5F157AC03 ,  5F157AC04 ,  5F157AC25 ,  5F157AC45 ,  5F157BB23 ,  5F157BB44 ,  5F157BC53 ,  5F157CB03 ,  5F157CB11 ,  5F157CB13 ,  5F157CB15 ,  5F157CB22 ,  5F157CC02 ,  5F157CF20 ,  5F157CF32 ,  5F157CF34 ,  5F157CF92 ,  5F157DA21 ,  5F157DB33 ,  5F157DB45 ,  5F157DC84

引用特許：

審査官引用 (3件)

• レジストパターン形成方法および現像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-164416   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社ソルテック
• レジストの現像・リンス方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-158928   出願人：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-179780   出願人：アルバック成膜株式会社