液晶表示装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-040749
公開番号（公開出願番号）：特開2018-136549
出願日： 2018年03月07日
公開日（公表日）： 2018年08月30日
要約：

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層421aと重なる酸化物半導体層の一部にチャネル保護層となる酸化物絶縁層426aを形成し、その酸化物絶縁層426aの形成時に酸化物半導体層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層426bを形成する。酸化物半導体層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層426bは、ゲート電極層421aと、その上方または周辺に形成される配線層(ソース配線層や容量配線層など)との距離を大きくし、寄生容量の低減を図る。酸化物半導体層の周縁部を覆う酸化物絶縁層426bは、チャネル保護層と同一工程で形成されるため、工程数の増加なく、寄生容量を低減できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上の、第1の領域乃至第3の領域を有する第1の導電層と、前記第1の導電層上の、酸化珪素を有するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上にあって、前記第1の領域と重なる領域にチャネル形成領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上の、酸化物絶縁層と、前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、第4の領域及び第5の領域を有する第2の導電層と、前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、前記第2の導電層上、及び前記ドレイン電極上の、保護絶縁層と、前記保護絶縁層上の、平坦化絶縁層と、前記平坦化絶縁層上にあって、前記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極と、前記第3の領域と、前記第5の領域とが交差する、配線交差部と、を有し、前記第1の領域は、ゲート電極として機能する領域であり、前記第2の領域は、前記酸化物半導体膜のチャネル長方向の端部を越えて延在した領域であり、前記第3の領域は、ゲート配線として機能する領域であり、前記第4の領域は、ソース電極として機能する領域であり、前記第5の領域は、ソース配線として機能する領域であり、前記酸化物半導体膜のチャネル幅方向の断面において、前記酸化物半導体膜の端部を越えて延在する前記酸化物絶縁層は、前記ゲート絶縁層と接する領域を有し、前記酸化物絶縁層は、第1のコンタクトホールと、第2のコンタクトホールとを有し、前記第1のコンタクトホールを介して、前記第4の領域は前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、前記第2のコンタクトホールを介して、前記ドレイン電極は前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、前記配線交差部において、前記第3の領域と、前記第5の領域との間には、前記ゲート絶縁層の第6の領域と、前記第6の領域に接する前記酸化物絶縁層の第7の領域とを有することを特徴とする液晶表示装置。

IPC (9件)：

G02F 1/136 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/088 , H01L 29/417 , H01L 21/28 , G02F 1/134

FI (14件)：

G02F1/1368 , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 612C , H01L29/78 617T , H01L29/78 619A , H01L27/06 102A , H01L27/088 331E , H01L27/088 C , H01L27/088 B , H01L29/50 M , H01L21/28 301B , G02F1/1343

Fターム (161件)：

2H092GA14 , 2H092GA17 , 2H092GA59 , 2H092HA04 , 2H092JA26 , 2H092JA29 , 2H092JA46 , 2H092JB05 , 2H092JB58 , 2H092JB69 , 2H092KA08 , 2H092NA23 , 2H092QA09 , 2H192AA24 , 2H192BA25 , 2H192BB02 , 2H192BB13 , 2H192BB53 , 2H192BB64 , 2H192BC31 , 2H192CB05 , 2H192CB37 , 2H192CB71 , 2H192CC04 , 2H192CC22 , 2H192DA12 , 2H192DA42 , 2H192EA22 , 2H192EA43 , 2H192EA67 , 2H192FA65 , 2H192FA73 , 2H192FB02 , 2H192FB27 , 2H192GD14 , 2H192GD25 , 2H192JA13 , 2H192JA33 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB29 , 4M104BB36 , 4M104DD34 , 4M104DD36 , 4M104DD37 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB02 , 5F048BB03 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BC18 , 5F048BD10 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F110AA01 , 5F110AA02 , 5F110AA09 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE12 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE25 , 5F110EE30 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG28 , 5F110GG35 , 5F110GG58 , 5F110HJ30 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK18 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN14 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110QQ05 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (7件)

電界効果型トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-223480 出願人：キヤノン株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-081378 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
発光装置とその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-036044 出願人：キヤノン株式会社

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