特許
J-GLOBAL ID：201803013680677964
電気光学変調器
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
宮崎 昭夫
, 緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-071594
公開番号（公開出願番号）：特開2018-173539
出願日： 2017年03月31日
公開日（公表日）： 2018年11月08日
要約：
【課題】低電流密度、低消費電力、高い変調度、低電圧駆動、および高速変調を、サブミクロンの領域内で実現可能な、改善されたキャリアプラズマ効果を示すシリコン・ベース電気光学変調器を提供する。【解決手段】SiあるいはSiGe結晶を含む導波路構造を具備する電気光学変調器において、前記導波路構造内を伝播する光の電界方向が前記SiあるいはSiGe結晶の<110>方向とほぼ平行となるように設定されることを特徴とする電気光学変調器。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
SiあるいはSiGe結晶を含む導波路構造を具備する電気光学変調器において、前記導波路構造内を伝播する光の電界方向が前記SiあるいはSiGe結晶の<110>方向とほぼ平行となるように設定されることを特徴とする電気光学変調器。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
2K102AA18
, 2K102BA02
, 2K102BB01
, 2K102BB04
, 2K102BC05
, 2K102BD01
, 2K102CA18
, 2K102CA21
, 2K102DA05
, 2K102DB04
, 2K102DC01
, 2K102DD03
, 2K102EA02
審査官引用 (2件)
-
導波路型共振器デバイス
公報種別：公開公報
出願番号：特願2010-102416
出願人：富士通株式会社
-
光変調器
公報種別：公開公報
出願番号：特願2013-027792
出願人：国立大学法人東京大学
引用文献：
審査官引用 (1件)
-
Ge-rich SiGe-on-insulator for waveguide optical modulator application fabricated by Ge condensation
前のページに戻る
