特許
J-GLOBAL ID：201803013760841579

プラズマ処理装置用のトレイ

発明者：
松村 健史

松村 健史 について

, 
津野 翔吾

津野 翔吾 について


出願人/特許権者：
サムコ株式会社

サムコ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人京都国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-139121
公開番号（公開出願番号）：特開2018-010975
出願日： 2016年07月14日
公開日（公表日）： 2018年01月18日
要約：
【課題】J-R力型静電チャックを用いたプラズマ処理装置において、該静電チャックに確実に保持されると共に、プラズマ処理の際に不純物を放出することの少ないトレイを提供する。【解決手段】J-R力型静電吸着装置を用いたプラズマ処理装置100用のトレイ10において、静電吸着装置に接する下面側を体積抵抗率が1×1013Ω・cm以下の材料で構成し、プラズマに曝される上部側を体積抵抗率が1×1013Ω・cmを超える材料で構成する。下面側が体積抵抗率1×1013Ω・cm以下であるのでトレイ10が静電吸着装置に確実に吸着され基板9及びトレイ10に生じる熱がトレイ10を通して外部に良好に放出される。該下面側は、別の材料で構成された部分で覆われているので、該下面側がエッチングされてここに添加されている抵抗コントロール用の導電性添加物等が放出されるといった事態が生じない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
J-R力型静電吸着装置を用いたプラズマ処理装置用のトレイであって、 該静電吸着装置に接する下面側を体積抵抗率が1×1013Ω・cm以下の材料で構成し、 プラズマに曝される上部側を体積抵抗率が1×1013Ω・cmを超える材料で構成した、 トレイ。
IPC (1件)：
H01L 21/683
FI (1件)：
H01L21/68 R
Fターム (24件)：
5F131AA02 ,  5F131BA19 ,  5F131CA15 ,  5F131DA05 ,  5F131DA33 ,  5F131DA43 ,  5F131EA03 ,  5F131EA17 ,  5F131EB11 ,  5F131EB12 ,  5F131EB15 ,  5F131EB18 ,  5F131EB19 ,  5F131EB53 ,  5F131EB67 ,  5F131EB75 ,  5F131EB78 ,  5F131EB79 ,  5F131EB82 ,  5F131GA05 ,  5F131GA26 ,  5F131GA33 ,  5F131GA52 ,  5F131GA66
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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