特許
J-GLOBAL ID：201803014148059426
半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
杉村 憲司
, 川原 敬祐
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-249335
公開番号（公開出願番号）：特開2014-099454
特許番号：特許第6278591号
出願日： 2012年11月13日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 炭素および窒素の少なくとも一方を含む半導体ウェーハにゲッタリングに寄与する構成元素を含むクラスターイオンを照射して、該半導体ウェーハの表面に、前記クラスターイオンの構成元素から形成された改質層を形成する第1工程と、
前記半導体ウェーハの改質層上に第1エピタキシャル層を形成する第2工程と、
を有し、該第2工程後の改質層における前記構成元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が100nm以下である半導体エピタキシャルウェーハを得ることを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/322 ( 200 6.01)
, C23C 16/02 ( 200 6.01)
, C23C 16/24 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
H01L 21/322 J
, H01L 21/322 R
, H01L 21/322 Y
, C23C 16/02
, C23C 16/24
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/265 Z
