特許
J-GLOBAL ID:201803014308541190

光子出力装置、及び光子出力方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前井 宏之
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-526825
特許番号:特許第6236609号
出願日: 2012年07月24日
請求項(抜粋):
【請求項1】 p型ダイヤモンド層、n型ダイヤモンド層、及び、前記p型ダイヤモンド層と前記n型ダイヤモンド層との間に設けられ窒素イオンの注入された単一構造のi型ダイヤモンド層からなるPIN構造の半導体を含む発光素子と、 前記PIN構造の半導体に電圧を印加して前記発光素子に電流を注入する電流注入部と、 前記電流注入部による電流の注入によって前記i型ダイヤモンド層内において発生した光子を通過させる光学素子と を備え、 前記光学素子は、前記i型ダイヤモンド層の所定の位置において発生した光子を通過させ、前記i型ダイヤモンド層の別の位置、前記p型ダイヤモンド層および前記n型ダイヤモンド層において発生した光子をカットする、光子出力装置。
IPC (3件):
H01L 33/34 ( 201 0.01) ,  H01L 33/00 ( 201 0.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 33/34 ,  H01L 33/00 L ,  H01L 21/205
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 光子源
    公報種別:公表公報   出願番号:特願2007-501058   出願人:ザユニバーシティーオブメルボルン
  • 高効率間接遷移型半導体紫外線発光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2007-114981   出願人:独立行政法人産業技術総合研究所
審査官引用 (2件)
  • 光子源
    公報種別:公表公報   出願番号:特願2007-501058   出願人:ザユニバーシティーオブメルボルン
  • 高効率間接遷移型半導体紫外線発光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2007-114981   出願人:独立行政法人産業技術総合研究所
引用文献:
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