特許
J-GLOBAL ID：201803014474000849
超微細突起形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
古谷 栄男
, 松下 正
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-204395
公開番号（公開出願番号）：特開2018-067594
出願日： 2016年10月18日
公開日（公表日）： 2018年04月26日
要約：
【課題】光変換効率の高いシリコンを形成する。【解決手段】プラズマ照射装置10は、ヘリウムを熱陰極11(LaB6)と銅陽極12の間でガス放電させ、1018m-3を超える高密度のプラズマを発生させ、このヘリウムイオンをシリコン基板表面に照射する。これにより、表面に、アスペクト比3程度の高さ300nm程度のコーン状のシリコン微細突起が形成される。また、電子密度を1018m-3、電子温度を5eV程度、入射イオンエネルギーを40eV、照射温度を500°Cとした。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
シリコン基板を放電処理室の陰極と陽極の間に載置し、
前記基板温度を500°Cから1000°Cとし、
前記放電処理室に、He、HまたはNeガスの単体または、これらの混合ガスを封入し、
前記陰極と陽極との間に電圧を印加することにより、前記ガスを数十eV以下でプラズマ化して、前記シリコン基板の表面に照射し、これにより、前記基板表面に高さ数百〜1000nm程度の超微細突起を形成させること、
を特徴とする超微細突起形成方法。
IPC (5件)：
H01L 31/023
, H05H 1/24
, C30B 29/06
, C30B 33/12
, C30B 29/62
H01L31/04 280
, H05H1/24
, C30B29/06 B
, C30B33/12
, C30B29/62 Z
2G084AA01
, 2G084BB02
, 2G084BB11
, 2G084BB21
, 2G084BB37
, 2G084CC02
, 2G084CC11
, 2G084CC32
, 2G084DD01
, 2G084DD12
, 2G084DD63
, 4G077AA02
, 4G077AA04
, 4G077BA04
, 4G077FG02
, 4G077HA01
, 5F151BA14
, 5F151CB22
, 5F151GA04
, 5F151HA07
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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