特許
J-GLOBAL ID：201803014484505655

半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

発明者：
松倉 勇介

松倉 勇介 について

, 
ペルノ シリル

ペルノ シリル について


出願人/特許権者：
日機装株式会社

日機装株式会社 について


代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-016858
公開番号（公開出願番号）：特開2018-125428
出願日： 2017年02月01日
公開日（公表日）： 2018年08月09日
要約：
【課題】半導体発光素子の光出力を向上させる。【解決手段】半導体発光素子は、シリコン(Si)を含むn型窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系半導体材料のn型クラッド層24と、n型クラッド層24上に設けられ、Siを含む中間層25と、中間層25上に設けられるAlGaN系半導体材料の活性層26と、活性層26上に設けられるp型半導体層と、を備える。n型クラッド層24、中間層25および活性層26が積層される方向のSi濃度の分布が中間層25の位置に少なくとも局所的なピークを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン(Si)を含むn型窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系半導体材料のn型クラッド層と、 前記n型クラッド層上に設けられ、Siを含む中間層と、 前記中間層上に設けられるAlGaN系半導体材料の活性層と、 前記活性層上に設けられるp型半導体層と、を備え、 前記n型クラッド層、前記中間層および前記活性層が積層される方向のSi濃度の分布が前記中間層の位置に少なくとも局所的なピークを有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/32 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L33/32 ,  H01L21/205
Fターム (25件)：
5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F241AA03 ,  5F241AA04 ,  5F241AA40 ,  5F241CA05 ,  5F241CA40 ,  5F241CA49 ,  5F241CA57 ,  5F241CA58 ,  5F241CA65 ,  5F241CA66 ,  5F241FF16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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