特許
J-GLOBAL ID：201603011944390327

半導体発光素子

発明者：
朝田 耕司

朝田 耕司 について

, 
藤岡 陽

藤岡 陽 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 豊栖 康弘 ,  豊栖 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-194322
公開番号（公開出願番号）：特開2016-066691
出願日： 2014年09月24日
公開日（公表日）： 2016年04月28日
要約：
【課題】n型コンタクト層による活性層からの光の吸収を抑制して、光取り出し効率を改善する。【解決手段】n型半導体層10と、n型半導体層10上の一部に設けられる活性層30と、活性層30上に設けられるp型半導体層20と、n型半導体層10上の他の一部に設けられるn側電極40と、p型半導体層20上に設けられるp側電極50と、を有する半導体発光素子であって、発光素子の発光ピーク波長は240nm以上280nm以下であり、n型半導体層10は、活性層30側から順に、n側電極40が設けられるAlXGa1-XN(0.60 請求項（抜粋）：
n型半導体層と、 前記n型半導体層上の一部に設けられる活性層と、 前記活性層上に設けられるp型半導体層と、 前記n型半導体層上の他の一部に設けられるn側電極と、 前記p型半導体層上に設けられるp側電極と を有する半導体発光素子であって、 前記発光素子の発光ピーク波長は240nm以上280nm以下であり、 前記n型半導体層は、前記活性層側から順に、 前記n側電極が設けられるAlXGa1-XN(0.60 IPC (1件)：
H01L 33/32
FI (1件)：
H01L33/00 186
Fターム (38件)：
5F141AA03 ,  5F141AA24 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA23 ,  5F141CA40 ,  5F141CA49 ,  5F141CA58 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA87 ,  5F141CA92 ,  5F141CA98 ,  5F141CB36 ,  5F141FF06 ,  5F141FF11 ,  5F141FF13 ,  5F141FF16 ,  5F241AA03 ,  5F241AA24 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA12 ,  5F241CA23 ,  5F241CA40 ,  5F241CA49 ,  5F241CA58 ,  5F241CA65 ,  5F241CA74 ,  5F241CA87 ,  5F241CA92 ,  5F241CA98 ,  5F241CB36 ,  5F241FF06 ,  5F241FF11 ,  5F241FF13 ,  5F241FF16
引用特許：
出願人引用 (12件)
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