特許
J-GLOBAL ID：201303012824767315

III族窒化物半導体発光素子

発明者：
中村 亮

中村 亮 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-270029
公開番号（公開出願番号）：特開2013-122950
出願日： 2011年12月09日
公開日（公表日）： 2013年06月20日
要約：
【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、駆動電圧を上昇させることなく、発光効率を向上させること。【解決手段】III 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板10を有し、サファイア基板10上に、III 族窒化物半導体からなるnコンタクト層11、nクラッド層12、発光層13、pクラッド層14、pコンタクト層15が順に積層された構造を有している。nクラッド層12は、nコンタクト層11側から順に高不純物濃度層120、低不純物濃度層121の2層で構成されていて、低不純物濃度層121が発光層13に接する。低不純物濃度層121は、高不純物濃度層120よりもn型不純物濃度が低い層であり、n型不純物濃度がpクラッド層のp型不純物濃度の1/1000〜1/100であり、厚さが10〜400Åである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光層と、前記発光層上にpクラッド層を有したIII 族窒化物半導体発光素子において、 前記発光層の前記pクラッド層側とは反対側に位置し、n型不純物がドープされた高不純物濃度層と、 前記高不純物濃度層と前記発光層との間であって前記発光層に接して位置し、その高不純物濃度層よりもn型不純物濃度が低い低不純物濃度層と、 を有し、 前記低不純物濃度層は、n型不純物濃度が、前記pクラッド層のp型不純物濃度の1/1000〜1/100であり、厚さが10〜400Åである、 ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/32 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01L33/00 186 ,  H01S5/343 610
Fターム (20件)：
5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F141AA04 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA22 ,  5F141CA40 ,  5F141CA58 ,  5F141CA65 ,  5F141CA88 ,  5F173AF33 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AR23
引用特許：
審査官引用 (3件)

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