特許
J-GLOBAL ID：201803014809872447

基板処理方法および基板処理装置

発明者：
伊 藤 規 宏

伊 藤 規 宏 について

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中 森 光 則

中 森 光 則 について

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河 野 央

河 野 央 について

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八 谷 洋 介

八 谷 洋 介 について

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野 中 純

野 中 純 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (5件)： 永井 浩之 ,  中村 行孝 ,  佐藤 泰和 ,  朝倉 悟 ,  森 秀行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-171118
公開番号（公開出願番号）：特開2016-219842
特許番号：特許第6290338号
出願日： 2016年09月01日
公開日（公表日）： 2016年12月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理方法であって、 1枚の基板に対して硫酸と過酸化水素水の混合比が異なる複数のSPM液をノズルから供給する供給工程を備え、 硫酸と過酸化水素水とが混合された時点からSPM液がノズルから供給される時点までの時間を前記混合比に応じて変更することにより、前記混合比が異なる複数のSPM液の各々において、硫酸と過酸化水素を混合した後に次第に増大してゆくSPM液中のカロ酸濃度がSPM液が前記ノズルから供給されるときにほぼ最大値をとるようにすることを特徴とする、基板処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  G03F 7/42 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/304 648 G ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 643 A
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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