特許

J-GLOBAL ID：201803014974561634

半導体装置

発明者： 梅崎 敦司 ,  荒澤 亮
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-074360
公開番号（公開出願番号）：特開2018-152569
出願日： 2018年04月09日
公開日（公表日）： 2018年09月27日
要約：

【課題】消費電力を抑えつつ、走査線へ十分な振幅の信号を供給することができ、消費電力を抑えつつ、走査線に供給する信号のなまりを抑制し、立ち上がり時間又は立ち下がり時間を短くすることができる半導体装置を提供する。【解決手段】表示素子及び第1トランジスタ1460をそれぞれ有する画素と、画素を選択するための信号を走査線に供給する走査線駆動回路とを有し、表示素子の画素電極層と、第1トランジスタのゲート電極層1451、ソース電極層1455a及びドレイン電極層1455bと、走査線とは、透光性を有する導電膜を用いており、走査線駆動回路は、第2トランジスタ1470と、第2トランジスタのゲート電極層1401とソース電極層1405aの間の電圧を保持する容量素子と、を有しており、第2トランジスタのソース電極層は走査線に接続されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1のゲート電極と、 第2のゲート電極と、 前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極上方の第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上方の第1の酸化物半導体層と、 前記第1の酸化物半導体層上方の第1のソース電極と、 前記第1の酸化物半導体層上方の第1のドレイン電極と、 前記第1の絶縁層上方の第2のソース電極と、 前記第1の絶縁層上方の第2のドレイン電極と、 前記第2のソース電極上方及び前記第2のドレイン電極上方の第2の酸化物半導体層と、を有し、 前記第1のゲート電極は、前記第1の酸化物半導体層と重なる領域を有し、 前記第2のゲート電極は、前記第2の酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 29/786 ,  G09G 3/20 ,  G09G 3/36 ,  G09G 3/326 ,  G09F 9/30 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088

FI (14件)：

H01L29/78 612B ,  G09G3/20 680G ,  G09G3/20 624B ,  G09G3/20 611A ,  G09G3/36 ,  G09G3/3266 ,  G09G3/20 622B ,  G09F9/30 338 ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L27/088 A ,  H01L27/088 C

Fターム (232件)：

4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104EE03 ,  4M104EE06 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  5C006AA02 ,  5C006AA21 ,  5C006AF42 ,  5C006AF72 ,  5C006BB16 ,  5C006BB28 ,  5C006BC03 ,  5C006BC08 ,  5C006BC20 ,  5C006BC22 ,  5C006BF03 ,  5C006BF24 ,  5C006BF34 ,  5C006BF39 ,  5C006BF42 ,  5C006EB05 ,  5C006EC02 ,  5C006EC09 ,  5C006FA12 ,  5C006FA37 ,  5C006FA46 ,  5C006FA47 ,  5C006FA51 ,  5C080AA10 ,  5C080AA13 ,  5C080AA16 ,  5C080BB05 ,  5C080BB06 ,  5C080CC03 ,  5C080CC06 ,  5C080DD07 ,  5C080DD08 ,  5C080DD09 ,  5C080DD25 ,  5C080DD26 ,  5C080DD27 ,  5C080EE01 ,  5C080EE19 ,  5C080FF03 ,  5C080FF11 ,  5C080FF13 ,  5C080GG02 ,  5C080GG05 ,  5C080GG07 ,  5C080GG08 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ06 ,  5C080KK04 ,  5C080KK07 ,  5C080KK20 ,  5C080KK21 ,  5C080KK34 ,  5C080KK38 ,  5C080KK43 ,  5C080KK49 ,  5C080KK50 ,  5C094AA22 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094HA05 ,  5C094HA07 ,  5C094HA08 ,  5C380AA01 ,  5C380AB06 ,  5C380AB18 ,  5C380AB22 ,  5C380AB23 ,  5C380AB34 ,  5C380AB37 ,  5C380AC04 ,  5C380AC07 ,  5C380AC08 ,  5C380AC12 ,  5C380AC13 ,  5C380AC15 ,  5C380BA01 ,  5C380BA05 ,  5C380BA20 ,  5C380BA28 ,  5C380CB01 ,  5C380CB11 ,  5C380CE01 ,  5C380CF07 ,  5C380CF43 ,  5C380CF51 ,  5C380CF67 ,  5C380CF68 ,  5C380DA32 ,  5F048AA07 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB02 ,  5F048BB04 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BB15 ,  5F048BC18 ,  5F048BD02 ,  5F048BD10 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA09 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD06 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE07 ,  5F110EE27 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG33 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HL14 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HM05 ,  5F110HM13 ,  5F110HM14 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

• トランジスタ論理回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-094033   出願人：凸版印刷株式会社
• 複合金属酸化物を含むチャネルを有する半導体デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-502848   出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
• ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-002964   出願人：三星電子株式会社, 亞洲大學校産學協力團
• 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-289855   出願人：富士フイルム株式会社