特許
J-GLOBAL ID:201803015193059379
半導体基板の表面皮膜の厚さ測定方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (3件):
中前 富士男
, 清井 洋平
, 来田 義弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-202457
公開番号(公開出願番号):特開2018-064053
出願日: 2016年10月14日
公開日(公表日): 2018年04月19日
要約:
【課題】ウエハーに形成されている表面皮膜の厚みを高精度に、オンラインで測定できるウエハーの表面皮膜の厚さ測定方法を提供する。【解決手段】表面に研磨布51が設けられたターンテーブル50に接して、回転駆動される支持部材53にウエハー11を保持し、研磨液19をターンテーブル50上に流しながらウエハー11の表面皮膜12の厚さを測定する方法において、研磨布51及びターンテーブル50を貫通して、ウエハー11に対して光を照射する出光部15aと、ウエハー11からの反射光を受光する入光部16aとを有する光センサー13を設け、更に、光センサー13と表面皮膜12との間に、研磨液19と屈折率が0.9〜1.1倍の範囲で同一な透明物質20を配置し、表面皮膜12の厚みを測定する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
表面に研磨布が設けられたターンテーブルに接して、回転駆動される支持部材にウエハーを保持し、研磨液を前記ターンテーブル上に流しながら前記ウエハーの表面皮膜の厚さを測定する方法において、
前記研磨布及び前記ターンテーブルを貫通して、前記ウエハーに対して光を照射する出光部と、前記ウエハーからの反射光を受光する入光部とを有する光センサーを設け、更に、前記光センサーと前記表面皮膜との間に、前記研磨液と屈折率が0.9〜1.1倍の範囲で同一な透明物質を配置し、前記表面皮膜の厚みを測定するウエハーの表面皮膜の厚さ測定方法。
IPC (4件):
H01L 21/304
, B24B 49/04
, B24B 49/12
, B24B 37/013
FI (4件):
H01L21/304 622S
, B24B49/04 Z
, B24B49/12
, B24B37/013
Fターム (24件):
3C034BB93
, 3C034CA02
, 3C034CA22
, 3C034CB03
, 3C034DD01
, 3C034DD10
, 3C158AA07
, 3C158AC04
, 3C158BA14
, 3C158BC01
, 3C158CA01
, 3C158CB01
, 3C158DA12
, 3C158DA17
, 3C158EA11
, 3C158EB01
, 3C158EB14
, 5F057AA02
, 5F057BA11
, 5F057CA12
, 5F057DA03
, 5F057EB11
, 5F057GB02
, 5F057GB13
引用特許: