特許
J-GLOBAL ID:200903002527919418

薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-226984
公開番号(公開出願番号):特開2003-042721
出願日: 2001年07月27日
公開日(公表日): 2003年02月13日
要約:
【要約】【課題】加工中の透明な膜の膜厚および膜厚分布を高精度に計測することを目的とする。その一例としてCMP加工で生じるLSI領域や半導体ウエハ面内での膜厚分布の影響を受けることなく、CMP加工中に高精度に最表面の膜厚を計測することにより、高精度な膜厚管理を可能にし、高精度な薄膜デバイスの製造方法及びその製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】加工中の透明な膜の膜厚を計測する視野および計測位置は、CMP加工された実際のデバイスパターンの膜厚分布の影響を受けない面積で計測する。さらに透明な膜からの分光反射光の特徴量の反射光強度、周波数スペクトル強度等から、比較的平坦な領域を特定して膜厚を計測し、高精度の膜厚管理を実現する。これにより、膜厚分布に基づいたCMP加工工程での平坦化加工の最適化や、成膜工程への成膜条件やエッチング工程での加工条件の最適化を図ることが出来、高精度な半導体デバイスの製造を行う。
請求項(抜粋):
研磨中の光学的に透明な薄膜を形成した試料表面に白色光を照射し、該白色光の照射により該試料から発生する反射光を検出し、該検出した反射光の分光波形に基づいて前記光学的に透明な膜の膜厚を求める方法であって、予め計測した膜厚分布に基づいて決定した面積からの反射光を検出し、該検出した反射光の分光波形に基づいて、透明な膜の膜厚を求めることを特徴とする薄膜の膜厚計測方法。
IPC (4件):
G01B 11/06 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/3205
FI (4件):
G01B 11/06 G ,  B24B 37/04 K ,  H01L 21/304 622 S ,  H01L 21/88 K
Fターム (34件):
2F065AA30 ,  2F065BB03 ,  2F065BB17 ,  2F065BB22 ,  2F065CC02 ,  2F065CC19 ,  2F065CC31 ,  2F065DD13 ,  2F065EE00 ,  2F065FF42 ,  2F065FF51 ,  2F065GG02 ,  2F065HH04 ,  2F065LL22 ,  2F065LL30 ,  2F065LL46 ,  2F065LL67 ,  2F065MM04 ,  2F065PP13 ,  2F065QQ33 ,  2F065QQ44 ,  2F065UU07 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA07 ,  3C058CB03 ,  3C058CB06 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F033HH38 ,  5F033QQ48 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX37
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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