特許
J-GLOBAL ID：201803016583052940

容量素子、半導体装置、および半導体装置の作製方法

発明者：
佐藤 優一

佐藤 優一 について

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方堂 涼太

方堂 涼太 について

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飯田 裕太

飯田 裕太 について

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森若 智昭

森若 智昭 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-009272
公開番号（公開出願番号）：特開2018-125528
出願日： 2018年01月24日
公開日（公表日）： 2018年08月09日
要約：
【課題】微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタと、容量素子と、を有し、トランジスタは、金属酸化物と、金属酸化物と電気的に接続された、第1の導電体と、を有し、容量素子は、金属酸化物の上に配置され、第1の導電体が貫通している第1の絶縁体と、第1の絶縁体の上に配置され、第1の絶縁体および第1の導電体に達する開口が形成された、第2の絶縁体と、開口の内壁、第1の絶縁体、および第1の導電体に接して配置された第2の導電体と、第2の導電体の上に配置された、第3の絶縁体と、第3の絶縁体の上に配置された、第4の導電体と、を有し、第1の絶縁体は、第2の絶縁体より、水素の透過を抑制する機能が高い、半導体装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の絶縁体と、 前記第1の絶縁体を貫通するように配置された第1の導電体と、 前記第1の絶縁体の上に配置され、前記第1の絶縁体および前記第1の導電体に達する開口が形成された、第2の絶縁体と、 前記開口の内壁、前記第1の絶縁体、および前記第1の導電体に接して配置された第2の導電体と、 前記第2の導電体の上に配置された、第3の絶縁体と、 前記第3の絶縁体の上に配置された、第4の導電体と、を有し、 前記第1の絶縁体の前記第2の導電体と接する領域の膜厚は、前記第1の絶縁体の該領域以外の膜厚より薄く、 前記第1の導電体は、前記第1の絶縁体の、前記第2の導電体と接する領域の上面より上の部分において、湾曲面を有する、ことを特徴とする容量素子。
IPC (12件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (11件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616T ,  H01L27/04 C ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/088 331E ,  H01L27/088 E ,  H01L27/108 671Z ,  H01L27/108 621B ,  H01L27/1156 ,  H01L29/78 371
Fターム (180件)：
5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AV17 ,  5F038CD13 ,  5F038CD16 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF08 ,  5F038DF16 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ03 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB02 ,  5F048BB03 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BC18 ,  5F048BD02 ,  5F048BD10 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048DA24 ,  5F083AD02 ,  5F083AD24 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F101BA01 ,  5F101BD20 ,  5F101BD30 ,  5F101BG07 ,  5F101BH02 ,  5F101BH14 ,  5F101BH16 ,  5F101BH23 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB06 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD08 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK21 ,  5F110HK42 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM02 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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