特許
J-GLOBAL ID：201803016728514158
表示装置製造用フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、及びフォトマスクの検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 津国
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-122326
公開番号（公開出願番号）：特開2018-146990
出願日： 2018年06月27日
公開日（公表日）： 2018年09月20日
要約：
【課題】被転写体上に形成されるパターンの座標精度を高めることのできるフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】本発明のフォトマスクの製造方法は、パターン設計データAを用意する工程と、基板の厚み分布を示す、厚み分布データTを用意する工程と、フォトマスクを、露光装置に保持したときの主表面の形状を示す、転写面形状データCを用意する工程と、厚み分布データTと、転写面形状データCを用いて、描画差分データFを得る工程と、描画差分データFに対応する、主表面上の複数点における、座標ずれ量を算定して、描画用座標ずれ量データGを求める工程と、描画用座標ずれ量データGと、パターン設計データAを用いて、フォトマスクブランク上に、描画を行う描画工程と、を有する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
基板の主表面上に薄膜とフォトレジスト膜とが形成されたフォトマスクブランクを用意し、描画装置により、所定の転写用パターンを描画することを含む、フォトマスクの製造方法において、
前記所定の転写用パターンの設計を基にパターン設計データAを用意する工程と、
前記基板の厚み分布を示す、厚み分布データTを用意する工程と、
前記フォトマスクを、露光装置に保持したときの前記主表面の形状を示す、転写面形状データCを用意する工程と、
前記厚み分布データTと、前記転写面形状データCを用いて、描画差分データFを得る工程と、
前記描画差分データFに対応する、前記主表面上の複数点における、座標ずれ量を算定して、描画用座標ずれ量データGを求める工程と、
前記描画用座標ずれ量データGと、前記パターン設計データAを用いて、前記フォトマスクブランク上に、描画を行う描画工程と、を有する、フォトマスクの製造方法。
IPC (5件)：
G03F 1/70
, G03F 1/50
, G03F 1/60
, G03F 1/84
, G03F 7/20
G03F1/70
, G03F1/50
, G03F1/60
, G03F1/84
, G03F7/20 501
2H195BB01
, 2H195BB06
, 2H195BB34
, 2H195BC28
, 2H195BD06
, 2H197AA07
, 2H197BA11
, 2H197CA05
, 2H197CD03
, 2H197CD44
, 2H197DA02
, 2H197DB31
, 2H197HA04
, 2H197HA05
, 2H197JA17
