低シート抵抗MEOL抵抗の方法および設計

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：園田・小林特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-500394
公開番号（公開出願番号）：特表2018-524817
出願日： 2016年06月03日
公開日（公表日）： 2018年08月30日
要約：

集積回路構造(100)が、半導体基板(102)と、半導体基板(102)内のシャロートレンチアイソレーション(STI)領域(106)と、半導体基板(102)上に形成された1つ以上の能動素子と、STI領域(106)の上に配置された複数の抵抗を有する抵抗アレイ(138)とを含み、抵抗アレイ(138)は、1つ以上の能動素子への相互接続のための1つ以上の相互接続コンタクト層(126,136)の一部を含む。【選択図】図4-1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板内のシャロートレンチアイソレーション(STI)領域と、前記半導体基板上に形成された1つ以上の能動素子と、前記STI領域上に配置された複数の抵抗を有する抵抗アレイとを備える集積回路構造であって、前記抵抗アレイが、前記1つ以上の能動素子への相互接続のための1つ以上の相互接続コンタクト層の一部を含む、集積回路構造。

IPC (5件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/532

FI (2件)：

H01L27/04 P , H01L21/88 Q

Fターム (51件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033KK04 , 5F033KK07 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK25 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033PP06 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ48 , 5F033RR02 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR07 , 5F033RR22 , 5F033RR23 , 5F033SS04 , 5F033SS10 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033VV09 , 5F033WW01 , 5F033XX05 , 5F033XX09 , 5F038AR07 , 5F038AR16 , 5F038AR17 , 5F038AR19 , 5F038AR22 , 5F038AR24 , 5F038CA18 , 5F038CD10 , 5F038EZ02 , 5F038EZ15

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-241938 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-085154 出願人：株式会社デンソー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-065979 出願人：セイコーインスツル株式会社

審査官引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-241938 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-085154 出願人：株式会社デンソー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-065979 出願人：セイコーインスツル株式会社

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