特許
J-GLOBAL ID：201303016636476996

半導体装置

発明者：
野口 江

野口 江 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-241938
公開番号（公開出願番号）：特開2013-098453
出願日： 2011年11月04日
公開日（公表日）： 2013年05月20日
要約：
【課題】バラスト抵抗の幅を広げることなく、バラスト抵抗の許容電流量を大きくする【解決手段】バラスト抵抗200を構成する抵抗210の少なくとも一つは、第1抵抗212及び第2抵抗214を有している。第1抵抗212は、保護素子100内で電流が流れる方向である第1の方向(図1ではX方向)に延伸している。第2抵抗214は、第1抵抗212に並列に接続され、第1の方向に延伸している。そして第2抵抗214は、第1抵抗212と同一直線上に位置している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
保護素子と、 前記保護素子に接続するバラスト抵抗と、 を備え、 前記バラスト抵抗を構成する複数の抵抗の少なくとも一つは、 前記保護素子内で電流が流れる方向である第1の方向に延伸している複数の第1抵抗素子と、 前記第1抵抗素子に並列に接続され、前記第1の方向に延伸している第2抵抗素子と、 を有する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06
FI (4件)：
H01L27/04 P ,  H01L27/04 H ,  H01L27/06 311A ,  H01L27/06 311C
Fターム (26件)：
5F038AR09 ,  5F038AR22 ,  5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038BH15 ,  5F038CA02 ,  5F038CA05 ,  5F038CA06 ,  5F038EZ08 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BF11 ,  5F048BF12 ,  5F048BH06 ,  5F048CA01 ,  5F048CA12 ,  5F048CC01 ,  5F048CC02 ,  5F048CC10 ,  5F048CC13 ,  5F048CC18
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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