特許
J-GLOBAL ID：200903027607517275

半導体装置およびその製造方法

発明者：
田中 靖士

田中 靖士 について

, 
森田 信貴男

森田 信貴男 について

, 
葛原 剛

葛原 剛 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 矢作 和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-085154
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282718
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】STI領域を有する半導体基板に受動素子を配置した際、CMPによる平坦化で幅の狭い半導体領域が消滅する問題を解決しつつ、受動素子のショートによる歩留まり低減の問題、もしくは工程追加による製造コスト増大の問題を解決した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板の主面に浅溝が形成され、前記浅溝内に絶縁膜が形成された浅溝素子分離領域50,51と、前記浅溝素子分離領域50,51によって分離された複数の半導体領域3,30,31とを有する半導体装置100において、浅溝素子分離領域50,51の絶縁膜上に受動素子4,40を配置する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面に浅溝が形成され、前記浅溝内に絶縁膜が形成された浅溝素子分離領域と、前記浅溝素子分離領域によって分離された複数の半導体領域とを有する半導体装置において、前記浅溝素子分離領域の絶縁膜上に受動素子を配置したことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/822 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/08 331
FI (6件)：
H01L 27/08 331 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/82 D ,  H01L 27/04 P
Fターム (41件)：
5F032AA34 ,  5F032AA36 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032BA02 ,  5F032BA08 ,  5F032BB03 ,  5F032BB04 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA78 ,  5F038CA05 ,  5F038CA17 ,  5F038CA18 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB06 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F064DD02 ,  5F064DD03 ,  5F064DD07 ,  5F064DD26 ,  5F064GG10 ,  5F064HH06
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM