特許
J-GLOBAL ID：201803017030248894

ナノインプリント用テンプレート

発明者：
伊藤 公夫

伊藤 公夫 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 太田 昌孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-049205
公開番号（公開出願番号）：特開2018-101811
出願日： 2018年03月16日
公開日（公表日）： 2018年06月28日
要約：
【課題】転写すべきパターン領域内に欠陥が発生することを抑制する。【解決手段】本発明のナノインプリント用テンプレートは、基部及びその第1の側から突出した凸構造部を有する基材と、凸構造部上に位置する凹凸パターンと、凹凸パターンに隣接して凸構造部上に配置されたアライメントマークと、基部の第1の側に対向する第2の側に位置する窪み部とを備え、窪み部により規定される第1の領域と、第1の領域の周囲に存在し、第1の領域のいずれの箇所よりも基部の厚さが大きい第2の領域と、第1の領域の一部であって凹凸パターンを包含するパターン領域と、第1の領域の一部でありかつパターン領域の外に配置されアライメントマークを包含するアライメントマーク領域とを有し、凸構造部は第1の領域よりも小さく、第1の領域の最大撓み部がパターン領域外にあり、アライメントマーク領域は最大撓み部に重畳するか又は最大撓み部の近傍に存在する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基部及び前記基部の第1の側から突出した凸構造部を有する基材と、前記凸構造部上に位置する転写すべき凹凸パターンと、前記凹凸パターンに隣接して前記凸構造部上に配置されたアライメントマークと、前記基部の前記第1の側に対向する第2の側に位置する窪み部とを備えたナノインプリント用テンプレートであって、 前記窪み部により規定される第1の領域と、 前記第1の領域の周囲に存在し、前記第1の領域のいずれの箇所よりも前記基部の厚さが大きい第2の領域と、 前記第1の領域の一部であって、前記凹凸パターンを包含するパターン領域と、 前記第1の領域の一部であり、かつ前記パターン領域の外に配置され、前記アライメントマークを包含するアライメントマーク領域とを有し、 前記凸構造部は、前記第1の領域よりも小さく、 前記第1の領域の最も撓む部位である最大撓み部が、前記パターン領域外にあり、 前記アライメントマーク領域は、前記最大撓み部に重畳するか、又は前記最大撓み部の近傍に存在する、ナノインプリント用テンプレート。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  B29C 59/02
FI (2件)：
H01L21/30 502D ,  B29C59/02 B
Fターム (22件)：
4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AP06 ,  4F209AR07 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PN09 ,  4F209PN13 ,  4F209PQ11 ,  5F146AA25 ,  5F146AA32 ,  5F146AA34 ,  5F146EA01 ,  5F146EA02 ,  5F146EA04 ,  5F146EA07 ,  5F146EB02 ,  5F146EB10 ,  5F146ED01 ,  5F146FC04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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