特許

J-GLOBAL ID：201803017185536730

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  郷戸 宏充
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-020828
公開番号（公開出願番号）：特開2018-078346
出願日： 2018年02月08日
公開日（公表日）： 2018年05月17日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、固定電荷の影響を低減する。【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を設け、金属酸化膜を覆う絶縁膜を設ける。金属酸化膜の水素濃度は、酸化物半導体膜の水素濃度よりも1桁以上高くないため、速やかに電荷を除去することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、 酸化物半導体膜と、 前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間のゲート絶縁膜と、 前記酸化物半導体膜と接する領域を有するソース電極と、 前記酸化物半導体膜と接する領域を有するドレイン電極と、 前記酸化物半導体膜上の金属酸化膜と、を有し、 前記金属酸化膜は、Gaを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/146

FI (3件)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/146 C

Fターム (63件)：

4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FB03 ,  4M118FB13 ,  4M118FB24 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備える平板表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-058255   出願人：三星モバイルディスプレイ株式會社
• 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-231101   出願人：富士フイルム株式会社
• 液晶素子の駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-001787   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体素子の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-056284   出願人：キヤノン株式会社