特許

J-GLOBAL ID：201803017224822184

炭化珪素単結晶基板および炭化珪素エピタキシャル基板

発明者： 原田 真 ,  堀 勉 ,  佐々木 将 ,  岸田 哲也
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-051255
公開番号（公開出願番号）：特開2018-135265
出願日： 2018年03月19日
公開日（公表日）： 2018年08月30日
要約：

【課題】直径が100mm以上の炭化ケイ素単結晶基板の提供。【解決手段】直径が100mm以上であり、酸素濃度が1×1017cm-3以下であり、転位密度が2×104cm-2以下であり、積層欠陥の面積比率が2.0%以下である、炭化珪素単結晶基板(100)。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

直径が100mm以上であり、 酸素濃度が1×1017cm-3以下であり、 転位密度が2×104cm-2以下であり、 積層欠陥の面積比率が2.0%以下である、炭化珪素単結晶基板。

IPC (5件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205 ,  C30B 25/02

FI (5件)：

C30B29/36 A ,  C30B23/00 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 Z

Fターム (54件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB09 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077TC01 ,  4G077TC03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA04 ,  4K030EA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030HA13 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD18 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF11 ,  5F045AF13 ,  5F045AF16 ,  5F045AF17 ,  5F045BB12 ,  5F045BB14 ,  5F045DA59 ,  5F045DA67 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ06 ,  5F045EK02 ,  5F045EK03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 単結晶SiC及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-244636   出願人：信越化学工業株式会社
• 炭化珪素チップ、炭化珪素ウエハ、炭化珪素チップの試験方法、炭化珪素ウエハの試験方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-055828   出願人：三菱電機株式会社
• 特許第6552460号
  
• 特許第6552460号