炭素材料及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小山靖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-114132
公開番号（公開出願番号）：特開2017-226595
出願日： 2017年06月09日
公開日（公表日）： 2017年12月28日
要約：

【課題】カーボンナノチューブ等の炭素材料に、その特徴ある構造や機能を維持したままホウ素原子及び/又はリン原子を導入した炭素材料及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の炭素材料は、炭素材料を構成する炭素原子の一部に、ホウ素原子及び/又はリン原子が導入されたものであって、炭素材料にフッ素含有ガスを含むフッ化処理ガスを接触させて、当該炭素材料の表面をフッ素化処理する工程と、前記フッ素化処理後の炭素材料に対し、ボロン含有ガスを含むホウ化処理ガスを接触させてホウ化処理し、及び/又はリン含有ガスを含むリン化処理ガスを接触させてリン化処理する工程とを含む炭素材料の製造方法により製造することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭素材料を構成する炭素原子の一部に、ホウ素原子及び/又はリン原子が導入されている炭素材料。

IPC (8件)：

C01B 32/168 , B01J 27/12 , B01J 27/24 , B01J 27/14 , H01M 4/90 , H01M 4/88 , B82Y 30/00 , B82Y 40/00

FI (8件)：

C01B32/168 , B01J27/12 M , B01J27/24 M , B01J27/14 M , H01M4/90 X , H01M4/88 K , B82Y30/00 , B82Y40/00

Fターム (53件)：

4G146AA12 , 4G146AA17 , 4G146AB06 , 4G146AC27B , 4G146AD20 , 4G146AD22 , 4G146AD23 , 4G146AD24 , 4G146AD28 , 4G146AD35 , 4G146CB11 , 4G146CB13 , 4G146CB15 , 4G146CB26 , 4G146CB32 , 4G169AA02 , 4G169AA09 , 4G169BA08A , 4G169BA08B , 4G169BB08A , 4G169BB08B , 4G169BB11A , 4G169BB11B , 4G169BB13A , 4G169BB13B , 4G169BB18A , 4G169BB18B , 4G169BD03A , 4G169BD03B , 4G169BD06A , 4G169BD06B , 4G169BD07A , 4G169BD07B , 4G169BD15A , 4G169BD15B , 4G169CC32 , 4G169DA05 , 4G169EA01X , 4G169EA01Y , 4G169FA01 , 4G169FB54 , 4G169FB55 , 4G169FB78 , 4G169FC03 , 4G169FC07 , 4G169FC08 , 5H018AA02 , 5H018AS03 , 5H018BB16 , 5H018DD05 , 5H018EE05 , 5H018EE06 , 5H018EE08

引用特許：

審査官引用 (3件)

異方性半導体膜およびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-535789 出願人：カーベンセミコンリミテッド
炭素質材料の処理方法、グラファイト性の向上した炭素質材料およびそれを用いた電子放出材料、電池電極材料。
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-105669 出願人：東レ株式会社
ナノ複合体およびそれを含む分散液
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-188097 出願人：株式会社豊田中央研究所

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