特許
J-GLOBAL ID：201803017569340778

昇圧回路

発明者：
今井 靖

今井 靖 について


出願人/特許権者：
エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社

エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-127622
公開番号（公開出願番号）：特開2018-007333
出願日： 2016年06月28日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：
【課題】昇圧電圧が印加される回路のストレス試験の効率を向上することが可能な昇圧回路を提供する。【解決手段】分圧回路はテスト信号によって分圧比が変更できるように構成し、リミット回路は通常動作時の昇圧電圧より高い電圧にクランプするように構成する。テスト状態で、分圧回路を昇圧電圧が通常動作時より高くなるように制御すると、昇圧電圧がリミット回路によってクランプされるので、昇圧部が連続動作する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
入力電圧を昇圧して昇圧電圧を出力する昇圧回路であって、 入力される信号に応じて間欠動作する発振回路と、 前記発振回路のパルス信号を受けて前記入力電圧を昇圧する昇圧部と、 前記昇圧電圧を分圧して分圧電圧を出力する分圧回路と、 前記分圧電圧と基準電圧を比較し、比較結果の前記信号を出力する比較回路と、 前記昇圧電圧をクランプするリミット回路と、 テスト信号を入力するテスト端子と、を備え、 前記分圧回路は、前記テスト信号に応じて分圧比が変更可能であり、 前記テスト信号がテスト状態を示す時に、前記比較回路の出力する前記信号が前記昇圧部を連続動作させる ことを特徴とする昇圧回路。
IPC (5件)：
H02M 3/07 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  G11C 29/06 ,  G11C 16/06
FI (5件)：
H02M3/07 ,  H01L27/04 G ,  H01L27/04 T ,  G11C29/00 673F ,  G11C17/00 632A
Fターム (28件)：
5B225BA01 ,  5B225DE07 ,  5B225EG02 ,  5B225EG05 ,  5F038BB05 ,  5F038BG02 ,  5F038BG03 ,  5F038BG05 ,  5F038BG08 ,  5F038DT02 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ20 ,  5H730AA13 ,  5H730AS01 ,  5H730AS04 ,  5H730BB02 ,  5H730BB57 ,  5H730BB98 ,  5H730DD04 ,  5H730EE59 ,  5H730EE60 ,  5H730FD01 ,  5H730FF01 ,  5H730FG01 ,  5L106AA10 ,  5L106DD35 ,  5L206AA10 ,  5L206DD35
引用特許：
出願人引用 (6件)
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