特許

J-GLOBAL ID：201803017716810580

光半導体素子

発明者： 中尾 亮 ,  硴塚 孝明 ,  松尾 慎治
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 茂樹 ,  小池 勇三 ,  山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-134024
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006638
出願日： 2016年07月06日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：

【課題】Si基板上に配置されたIII-V族化合物半導体からなる光素子における光閉じ込めおよび高い放熱が両立できるようにする。【解決手段】Siからなる基板101と、基板101の上に形成された光導波路型の光素子102と、光素子102と基板101との間に形成された中間層103とを備える。光素子102は、III-V族化合物半導体から構成されている。中間層103は、光素子102を構成するコアより屈折率が低く、かつ熱伝導率が、酸化シリコン,窒化シリコン,ベンゾシクロブテンなどの絶縁材料(絶縁体)より大きい材料から構成されている。また、中間層103は、光素子102を導波する光のモードが基板101にかからない厚さとされている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコンからなる基板と、 前記基板の上に形成されたIII-V族化合物半導体からなる光導波路型の光素子と、 前記光素子と前記基板との間に形成されて前記光素子を構成するコアより屈折率が低く、かつ熱伝導率が絶縁体より大きい中間層と を備え、 前記中間層は、前記光素子を導波する光のモードが前記基板にかからない厚さとされている ことを特徴とする光半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 5/22 ,  G02B 6/12

FI (2件)：

H01S5/22 ,  G02B6/12 301

Fターム (14件)：

2H147AB04 ,  2H147DA08 ,  2H147EA12A ,  2H147EA12D ,  2H147EA13C ,  2H147EA14D ,  2H147EA16D ,  2H147GA06 ,  5F173AA22 ,  5F173AG12 ,  5F173AH12 ,  5F173AH48 ,  5F173AR26 ,  5F173AR72

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-102590   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-187795   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平2-144983
  

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザおよび半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-081795   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平2-144983
  
• 半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-102590   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-187795   出願人：住友電気工業株式会社