特許

J-GLOBAL ID：201803017835802561

圧電薄膜、圧電薄膜素子、圧電アクチュエータ、圧電センサ、ヘッドアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、ハードディスクドライブ、プリンタヘッド、及びインクジェットプリンタ装置

発明者： 政井 琢 ,  佐藤 祐介 ,  森下 純平 ,  舟窪 浩 ,  清水 荘雄 ,  根本 祐一
出願人/特許権者： TDK株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  三上 敬史
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016088501
公開番号（公開出願番号）：WO2017-111090
出願日： 2016年12月22日
公開日（公表日）： 2017年06月29日
要約：

d31及びg31が大きい圧電薄膜が提供される。圧電薄膜3は、単結晶基板1に重なる。圧電薄膜3は、下記化学式1で表される結晶質の酸化物を含む。(100)、(001)、(110)、(101)及び(111)からなる群より選ばれる酸化物の面方位の一つが、単結晶基板1の法線方向DNにおいて優先的に配向している。(BixKy)TiO3 (1)[上記化学式1中、0.30≦x≦0.60, 0.30≦y≦0.60, 0.60≦x+y≦1.10。]

請求項（抜粋）：

単結晶基板に重なる圧電薄膜であって、 前記圧電薄膜が、下記化学式1で表される結晶質の酸化物を含み、 (100)、(001)、(110)、(101)及び(111)からなる群より選ばれる前記酸化物の面方位の一つが、前記単結晶基板の法線方向において優先的に配向している、 圧電薄膜。 (BixKy)TiO3 (1) [上記化学式1中、0.30≦x≦0.60, 0.30≦y≦0.60, 0.60≦x+y≦1.10。]

IPC (8件)：

H01L 41/187 ,  C30B 29/32 ,  H01L 41/04 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/39 ,  H01L 41/113 ,  H01L 41/316 ,  H01L 41/319

FI (8件)：

H01L41/187 ,  C30B29/32 B ,  H01L41/04 ,  H01L41/09 ,  H01L41/39 ,  H01L41/113 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

Fターム (10件)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BC41 ,  4G077DA14 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA11 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4G077SB03