特許

J-GLOBAL ID：201803018178253559

化学機械研磨後に基板をクリーニングするための組成物

発明者： 大竹 敦 ,  ポール アール.ベルナティス ,  キャス エックス.シャン
出願人/特許権者： イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-527234
特許番号：特許第6224590号
出願日： 2012年08月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 少なくとも1種類のリン含有塩基を含み、前記リン含有塩基はホスホニウムヒドロキシドである、窒素原子を含有しないCMP後クリーニング組成物。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  C11D 3/36 ( 200 6.01) ,  C11D 1/66 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/304 647 B ,  H01L 21/304 647 Z ,  C11D 3/36 ,  C11D 1/66

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 疎水性基板洗浄用液体組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-348204   出願人：NECエレクトロニクス株式会社, イーケーシー・テクノロジー株式会社
• 低K誘電体材料をその上に有する半導体ウェハをリサイクルするための組成物および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-540335   出願人：アドバンスドテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド

審査官引用 (2件)

• 疎水性基板洗浄用液体組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-348204   出願人：NECエレクトロニクス株式会社, イーケーシー・テクノロジー株式会社
• 低K誘電体材料をその上に有する半導体ウェハをリサイクルするための組成物および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-540335   出願人：アドバンスドテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド