特許
J-GLOBAL ID：201803018455837555
光起電デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-527730
特許番号：特許第6228119号
出願日： 2012年08月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン以外のIV族半導体材料層(1,4,7,10)と、
少なくとも1種類のIII族の原子と少なくとも1種類のV族の原子とから生成され、前記IV族半導体材料層との界面(8)を有し、IV族半導体材料層がIII-V族半導体材料へ格子整合している、III-V族半導体材料層(3,9)と、
前記V族原子が前記IV族半導体材料層に拡散することをコントロールするために、前記III-V族半導体材料層と前記IV族半導体材料層の間の前記界面か、または、前記界面から離間した、前記IV族半導体材料層か、または前記III-V族半導体材料層におけるシリコン層(6)と、
前記界面と接し、かつ前記III-V族半導体材料の層からシリコン層を介して拡散したV族原子によってドープされた、前記IV族半導体材料層におけるV族でドープされたn型の領域と、
を備えることを特徴とする半導体材料。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
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