特許

J-GLOBAL ID：201003062365638693

界面特性及び拡散テールが制御された半導体デバイスをIV族基板上に製作する方法

発明者： プエッツ, ノベルト ,  ファファルド, サイモン ,  リール, ジョセフ, リネー, ブルーノ
出願人/特許権者： シリウム テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 山田 行一 ,  野田 雅一 ,  池田 成人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-523114
公開番号（公開出願番号）：特表2010-500741
出願日： 2007年07月19日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：

微傾斜IV族基板上にエピタキシャル蒸着させたIII/V化合物を有する電子及び光電子デバイス並びにその製造方法。このデバイスは、Ge基板上にAlAs核形成層を含む。IV族基板は、As含有層のエピタキシャル成長時にAlAs核形成層によって特性の変化が最小限に抑えられるp-n接合を含む。AlAs核形成層は、デバイスの改善された形態を提供するとともに、As及び/又はPの拡散によりIV族基板の表面近く、並びにIV族元素の拡散を最小限に抑えることによりIII/V構造の底部近くのp-n接合の位置を制御する手段を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

IV族層と、 前記IV族層上に形成された核形成層であり、III属元素として少なくともアルミニウム(Al)と、V族元素としてヒ素(As)、窒素(N)及びアンチモン(Sb)のうちの少なくとも一種とを有する、III-V化合物を含む前記核形成層と を備える半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 33/30 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L31/04 E ,  H01L33/00 184 ,  H01L21/205

Fターム (24件)：

5F041AA31 ,  5F041CA03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CB36 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB11 ,  5F045AB12 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AF02 ,  5F045CA10 ,  5F045CA13 ,  5F051AA08 ,  5F051BA11 ,  5F051CB12 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高ミスカット角度の基体上に成長された多接合光起電セル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-119344   出願人：ザ・ボーイング・カンパニー
• 半導体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-214602   出願人：ゼロックスコーポレイション
• バリア/スペーサ層を有するIII族窒化物系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-590421   出願人：クリーインコーポレイテッド, ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・カリフォルニア
• 窒化物系半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-156027   出願人：三星電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Ge segregation and its suppression in GaAs epilayers grown on Ge(111) substrate"