特許
J-GLOBAL ID：201803018632703807

半導体モジュールの製造方法

発明者：
宮下 公哉

宮下 公哉 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について

, 
東芝マテリアル株式会社

東芝マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人東京国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-118119
公開番号（公開出願番号）：特開2016-181715
特許番号：特許第6224171号
出願日： 2016年06月14日
公開日（公表日）： 2016年10月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 セラミックス基板上に樹脂層を設けた圧接構造用セラミックスヒートシンク材を圧接構造により固定した半導体モジュールの製造方法において、 前記樹脂層が厚さ50μm以下であり、デュロメーター(ショア)硬さ(A型)が70以下であり、上記セラミックス基板と上記樹脂層との界面に存在する空隙の平均値が3μm以下であり、上記セラミックス基板の表面粗さRaが0.1〜5μmであると共に、上記セラミックス基板は熱伝導率が60W/m・K以上であり、3点曲げ強度が600MPa以上である窒化珪素基板から成るセラミックス基板上に樹脂層を設けた圧接構造用セラミックスヒートシンク材を用意する工程と、 前記圧接構造用セラミックスヒートシンク材を押さえ部材によって、5MPa以上の押圧力で圧接する工程とを備え、上記押さえ部材により圧接構造をとったときに、上記押さえ部材と上記セラミックス基板との表面が直接接触している部分があることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/40 ( 200 6.01) ,  H01L 23/36 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 23/40 D ,  H01L 23/36 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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