特許
J-GLOBAL ID：201803020003679655
半導体構造、集積回路構造、及びそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-526912
特許番号：特許第6325669号
出願日： 2013年12月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の上方に配置され、第1の方向に長さを有する第1の半導体フィンと、
前記第1の半導体フィンの上に配置された第1のゲート構造であって、前記第1の方向と直交する第2の方向に、第2の端部と向かい合う第1の端部を有する前記第1のゲート構造と、
前記第1の半導体フィンを中央とするゲートエッジ分離構造の対と、
前記第1のゲート構造の両側で、前記第1の半導体フィンの中に配置されたソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域の上に配置された第1のトレンチコンタクト及び前記ドレイン領域の上に配置された第2のトレンチコンタクトと
を備え、
前記ゲートエッジ分離構造の対のうち第1のゲートエッジ分離構造は、前記第1のゲート構造の前記第1の端部に直接隣接して配置され、前記ゲートエッジ分離構造の対のうち第2のゲートエッジ分離構造は、前記第1のゲート構造の前記第2の端部に直接隣接して配置され、
前記第1のトレンチコンタクト及び前記第2のトレンチコンタクトのそれぞれは、前記第2の方向に、第2の端部と向かい合う第1の端部を有し、
前記ゲートエッジ分離構造の対のうち前記第1のゲートエッジ分離構造は、前記第1のトレンチコンタクトの前記第1の端部、及び前記第2のトレンチコンタクトの前記第1の端部に直接隣接して配置され、前記ゲートエッジ分離構造の対のうち前記第2のゲートエッジ分離構造は、前記第1のトレンチコンタクトの前記第2の端部、及び前記第2のトレンチコンタクトの前記第2の端部に直接隣接して配置される
半導体構造。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/8238 ( 200 6.01)
, H01L 27/092 ( 200 6.01)
, H01L 21/8234 ( 200 6.01)
, H01L 27/088 ( 200 6.01)
H01L 29/78 301 X
, H01L 27/092 A
, H01L 27/088 A
