特許
J-GLOBAL ID：201803020477870623
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高田 守
, 高橋 英樹
, 久野 淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-053758
公開番号（公開出願番号）：特開2018-117147
出願日： 2018年03月22日
公開日（公表日）： 2018年07月26日
要約：
【課題】容易な方法で基板の金属不純物等を除去し半導体装置の持つ本来の性能を示しながら電気的特性を安定化させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】 基板の活性領域に形成されたドリフト層と、該ドリフト層の上面側に形成され、トレンチゲートを有するMOS構造と、該ドリフト層の下面に接したバッファ層と、該バッファ層の下面に接したコレクタ層とを備え、該ドリフト層中のキャリアのライフタイムは、該ドリフト層中のキャリアのライフタイムをτ[sec]とし、該ドリフト層の層厚をtN-[m]としたときに以下の数式1を満たすことを特徴とする。【数1】【選択図】図16
請求項（抜粋）：
基板の活性領域に形成されたドリフト層と、
前記ドリフト層の上面側に形成され、トレンチゲートを有するMOS構造と、
前記ドリフト層の下面に接したバッファ層と、
前記バッファ層の下面に接したコレクタ層とを備え、
前記ドリフト層中のキャリアのライフタイムは、前記ドリフト層中のキャリアのライフタイムをτ[sec]とし、前記ドリフト層の層厚をtN-[m]としたときに以下の数式1を満たすことを特徴とする半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 29/739
, H01L 29/861
, H01L 29/868
, H01L 21/329
, H01L 29/06
, H01L 29/12
, H01L 21/322
H01L29/78 658H
, H01L29/78 653C
, H01L29/78 652J
, H01L29/78 655F
, H01L29/78 652M
, H01L29/91 J
, H01L29/91 D
, H01L29/91 A
, H01L29/06 301G
, H01L29/06 301V
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 652K
, H01L21/322 E
, H01L21/322 R
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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