半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204278
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054519
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】縦型構造の高耐圧の半導体装置において、重金属不純物の混入に起因するキャリアのライフタイムの低下を防止するとともに、従来は認識されていなかったゲッタリング層の特性に着目し、ゲッタリング層を有効に利用した半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ゲッタリング層となるダメージ層102、P+コレクタ層103、N+バッファ層104、N-層105が順に積層されて構成される半導体基体11と、半導体基体11の上主面、すなわちN-層105の外側主面上に、ゲート絶縁膜26を挟んで選択的に形成されたゲート電極27と、半導体基体11の上主面に選択的に形成されたエミッタ電極28と、半導体基体11の下主面、すなわちダメージ層102の外側主面に形成されたコレクタ電極106とを備えている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の第1の主面と界面をなすように設けられた比較的高濃度の第2導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層の前記第1の半導体層との界面とは反対側の第1の主面と界面をなすように設けられ、金属不純物を偏析させるゲッタリング層と、少なくとも前記ゲッタリング層の前記第2の半導体層との界面とは反対側の第1の主面上に接するように設けられた第1の主電極と、前記第1の半導体層の前記第1の主面とは反対側の第2の主面上に設けられた第2の主電極とを備える半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/322 , H01L 29/744 , H01L 29/74 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/322 M , H01L 29/74 C , H01L 29/74 N , H01L 29/78 655 C , H01L 29/78 658 H

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-041976 出願人：東洋電機製造株式会社
特開昭60-065570
高耐圧半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-178403 出願人：富士電機株式会社

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審査官引用 (5件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-041976 出願人：東洋電機製造株式会社
特開昭60-065570
高耐圧半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-178403 出願人：富士電機株式会社

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