特許

J-GLOBAL ID：201803020529769080

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 脇本 博樹 ,  瀧下 博 ,  吉村 尚 ,  田村 隆博 ,  小野澤 勇一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-026650
公開番号（公開出願番号）：特開2018-125537
出願日： 2018年02月19日
公開日（公表日）： 2018年08月09日
要約：

【課題】半導体基板に垂直な方向のキャリヤライフタイム分布を制御する半導体装置を提供する。【解決手段】n型の半導体基板10と、半導体基板の表面側に形成されたp型のアノード領域20と、半導体基板の裏面側においてプロトンをドナーとして形成されたn型のフィールドストップ領域40と、フィールドストップ領域よりも半導体基板の裏面側に形成されたn型のカソード領域30とを備える。フィールドストップ領域における深さ方向のドナーの濃度分布は、第1のピークと、第1のピークよりも半導体基板の裏面側において第1のピークよりも濃度の低い第2のピークとを有し、アノード領域およびカソード領域の間における少なくとも一部の領域におけるキャリアライフタイムが、アノード領域およびカソード領域におけるキャリアライフタイムのいずれよりも長い。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

n型の半導体基板と、 前記半導体基板の表面側に形成されたp型のアノード領域と、 前記半導体基板の裏面側においてプロトンをドナーとして形成されたn型のフィールドストップ領域と、 前記フィールドストップ領域よりも前記半導体基板の裏面側に形成されたn型のカソード領域と を備え、 前記フィールドストップ領域における深さ方向の前記ドナーの濃度分布は、第1のピークと、前記第1のピークよりも前記半導体基板の裏面側において前記第1のピークよりも濃度の低い第2のピークとを有し、 前記アノード領域および前記カソード領域の間における少なくとも一部の領域におけるキャリアライフタイムが、前記アノード領域および前記カソード領域におけるキャリアライフタイムのいずれよりも長い半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/265

FI (17件)：

H01L29/91 J ,  H01L29/91 B ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 L ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658H ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/088 E ,  H01L29/78 655B ,  H01L29/78 655D ,  H01L29/78 657D ,  H01L21/322 L ,  H01L21/265 F ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/265 602A

Fターム (16件)：

5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA11 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB19 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BE09 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048CB07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-270983   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-316709   出願人：株式会社デンソー