特許
J-GLOBAL ID：201803020537064702
成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
特許業務法人弥生特許事務所
, 井上 俊夫
, 瀧澤 宣明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-199162
公開番号（公開出願番号）：特開2018-059173
出願日： 2016年10月07日
公開日（公表日）： 2018年04月12日
要約：
【課題】表面粗さが小さい膜を成膜可能な成膜方法を提供する。【解決手段】金属元素を含む原料ガスと反応ガスとを利用して、基板51に対して成膜を行うにあたり、プラズマ化した原料ガスを基板51に供給し、化学気相堆積(プラズマCVD)法により前記金属元素を含む下層膜53Aを形成するプラズマCVD工程と、次いで、下層膜53Aが形成された基板51の表面に原料ガスを吸着させる吸着段階と、基板51の表面に吸着した原料ガスに、プラズマ化した前記反応ガスを供給して反応させる反応段階と、を交互に実施する原子層堆積(プラズマALD)法により、下層膜53A上に前記金属元素を含む上層膜53Bを積層するプラズマALD工程とを実施する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
金属元素を含む原料ガスと、この原料ガスと反応する反応ガスとを利用して、基板に対して前記金属元素を含む膜の成膜を行う成膜方法において、
成膜対象の基板が配置された処理容器内に前記原料ガスを供給すると共に、当該原料ガスをプラズマ化させて化学気相堆積(プラズマCVD)法により前記基板の表面に前記金属元素を含む下層膜を形成するプラズマCVD工程と、
次いで、前記処理容器内へ前記原料ガスを供給し、前記下層膜が形成された前記基板の表面に当該原料ガスを吸着させる吸着段階と、前記処理容器内へ前記反応ガスを供給すると共に、当該反応ガスをプラズマ化させ、前記基板の表面に吸着した前記原料ガスに、プラズマ化した前記反応ガスを反応させる反応段階と、を交互に実施する原子層堆積(プラズマALD)法により、前記下層膜上に前記金属元素を含む上層膜を積層するプラズマALD工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
IPC (4件)：
C23C 16/14
, C23C 16/505
, C23C 16/455
, H01L 21/285
C23C16/14
, C23C16/505
, C23C16/455
, H01L21/285 C
, H01L21/285 301
4K030AA03
, 4K030AA17
, 4K030BA18
, 4K030CA04
, 4K030EA04
, 4K030FA03
, 4K030HA01
, 4M104AA01
, 4M104BB14
, 4M104BB17
, 4M104DD43
, 4M104DD44
, 4M104DD45
, 4M104EE06
, 4M104EE15
, 4M104EE17
, 4M104HH12
, 4M104HH13
