特許
J-GLOBAL ID：201003027344356477

半導体装置の製造方法および基板処理装置

発明者：
原田 和宏

原田 和宏 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-116906
公開番号（公開出願番号）：特開2010-034511
出願日： 2009年05月13日
公開日（公表日）： 2010年02月12日
要約：
【課題】 プラズマダメージを与えることなく膜中の残留不純物を低減でき、膜の平坦性を向上でき、さらには、プリカーサの使用量を抑えつつ堆積速度を向上させることができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、高誘電率絶縁膜上に窒化アルミニウムチタン膜を形成する工程と、を有し、窒化アルミニウムチタン膜を形成する工程では、窒化アルミニウム膜の形成と、窒化チタン膜の形成と、を交互に繰り返し行い、その際、最初および/または最後に前記窒化アルミニウム膜を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、 前記高誘電率絶縁膜上に窒化アルミニウムチタン膜を形成する工程と、を有し、 前記窒化アルミニウムチタン膜を形成する工程では、窒化アルミニウム膜の形成と、窒化チタン膜の形成と、を交互に繰り返し行い、その際、最初および/または最後に前記窒化アルミニウム膜を形成する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  C23C 16/34 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R ,  C23C16/34 ,  H01L29/78 301G
Fターム (37件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA01 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH11 ,  4M104HH12 ,  5F140AA06 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD17 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BG28
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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