導電材料の誘電体層上へのプラズマ増強原子層堆積

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八木澤史彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-548001
公開番号（公開出願番号）：特表2012-517101
出願日： 2010年01月08日
公開日（公表日）： 2012年07月26日
要約：

プラズマ増強原子層堆積(PEALD)を使用して誘電体層上に導電性の金属層を形成する方法を、関連する組成物および構造と共に提供する。PEALDによって導電層を堆積する前に、非プラズマ原子層堆積(ALD)プロセスによって誘電体層上にプラズマバリア層を堆積する。プラズマバリア層は、誘電体層上のPEALDプロセスにおけるプラズマ反応物質の有害作用を減少させるか、または防止し、接着を増強することができる。非プラズマALDプロセスおよびPEALDプロセスの双方において、同じ金属反応物質を使用することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

集積回路を形成するための方法であって、原子層堆積(ALD)プロセスによって基板上の金属酸化物誘電体層上に直接プラズマバリアを堆積することであって、前記ALDプロセスは、前記基板を金属反応物質および非プラズマ反応物質と交互かつ順次に接触させることを含む、プラズマバリアを堆積することと、プラズマ増強原子層堆積(PEALD)プロセスによって前記プラズマバリア上に直接導電層を堆積することであって、前記PEALDプロセスは前記基板を前記金属反応物質およびプラズマ反応物質と交互かつ順次に接触させることを含む、導電層を堆積することと、を含む、方法。

IPC (9件)：

H01L 21/285 , C23C 16/455 , C23C 16/34 , C23C 16/36 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (8件)：

H01L21/285 C , C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/36 , H01L21/28 301R , H01L29/58 G , H01L21/285 301 , H01L29/78 301G

Fターム (54件)：

4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030BA41 , 4K030BB05 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB19 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB34 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104EE03 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104GG08 , 4M104HH11 , 5F140AA00 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF03 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF20 , 5F140BG27

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-008418 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ
Ru膜および金属配線構造の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-289731 出願人：日本エー・エス・エム株式会社
薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-096527 出願人：ジニテックインク.

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