特許
J-GLOBAL ID：201803020750926432

光半導体装置の製造方法

発明者：
新関 彰一

新関 彰一 について

, 
一ノ倉 啓慈

一ノ倉 啓慈 について


出願人/特許権者：
日機装株式会社

日機装株式会社 について


代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-237608
公開番号（公開出願番号）：特開2018-093137
出願日： 2016年12月07日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
要約：
【課題】光半導体素子を有する光半導体装置の信頼性を高める。【解決手段】光半導体装置10の製造方法は、酸素(O2)を含む第1ガスの雰囲気中で、光半導体素子20が収容されるパッケージ基板30上に、金錫(AuSn)を含む接合材56を間に挟んで、透光性を有する蓋体40を載置する工程と、パッケージ基板30上に載置される蓋体40の上から荷重をかけて仮封止した状態で、雰囲気中に含まれる酸素濃度が低下するように雰囲気ガスを第2ガスに交換する工程と、第2ガスに交換する工程の開始後に接合材56を加熱溶融させてパッケージ基板30と蓋体40の間を接合する工程と、を備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
酸素(O2)を含む第1ガスの雰囲気中で、光半導体素子が収容されるパッケージ基板上に、金錫(AuSn)を含む接合材を間に挟んで、透光性を有する蓋体を載置する工程と、 前記パッケージ基板上に載置される前記蓋体の上から荷重をかけて仮封止した状態で、雰囲気中に含まれる酸素濃度が低下するように雰囲気ガスを第2ガスに交換する工程と、 前記第2ガスに交換する工程の開始後に前記接合材を加熱溶融させて前記パッケージ基板と前記蓋体の間を接合する工程と、を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/48 ,  H01S 5/022 ,  H01L 23/02
FI (3件)：
H01L33/48 ,  H01S5/022 ,  H01L23/02 F
Fターム (26件)：
5F142AA66 ,  5F142AA67 ,  5F142AA73 ,  5F142AA77 ,  5F142BA02 ,  5F142BA32 ,  5F142CA11 ,  5F142CD02 ,  5F142CD18 ,  5F142CD47 ,  5F142DB03 ,  5F142FA31 ,  5F142FA50 ,  5F142GA31 ,  5F142GA40 ,  5F173MA10 ,  5F173MB10 ,  5F173MC05 ,  5F173MC30 ,  5F173ME02 ,  5F173ME14 ,  5F173ME22 ,  5F173ME33 ,  5F173ME63 ,  5F173ME83 ,  5F173ME86
引用特許：
審査官引用 (8件)
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