特許
J-GLOBAL ID：201803020776916346

太陽電池の製造方法

発明者：
ヒョンジン キム

ヒョンジン キム について

, 
デヨン ゴン

デヨン ゴン について

, 
ボキョム チェ

ボキョム チェ について


出願人/特許権者：
エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド

エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド について


代理人 (7件)： 堅田 健史 ,  小林 英了 ,  大野 浩之 ,  津田 理 ,  松野 知紘 ,  酒谷 誠一 ,  野本 裕史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-006879
公開番号（公開出願番号）：特開2018-137430
出願日： 2018年01月19日
公開日（公表日）： 2018年08月30日
要約：
【課題】太陽電池用酸化膜を形成するための新しい製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板を湿式酸化雰囲気に露出させる露出段階、湿気酸化雰囲気の酸化剤濃度を工程時間の間維持し、シリコン基板にシリコン酸化膜形成段階を含む。形成したシリコン酸化膜を太陽電池用の制御パッシベーション膜として用いる。太陽電池を形成する半導体層は、蒸着法を用いて非晶質シリコン層を制御パッシベーション膜上に形成した後、熱処理して多結晶シリコン層に結晶化して作ることができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
太陽電池用酸化膜の製造方法であって、 シリコン基板を湿式酸化雰囲気に露出させる露出段階と、 前記湿式酸化雰囲気における酸化剤濃度を工程時間の間維持し、前記シリコン基板にシリコン酸化膜(SiO2)を形成する酸化膜形成段階とを含んでなる、太陽電池用酸化膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/068 ,  H01L 31/18 ,  H01L 21/316
FI (3件)：
H01L31/06 300 ,  H01L31/04 420 ,  H01L21/316 U
Fターム (23件)：
5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BE03 ,  5F058BE10 ,  5F058BF69 ,  5F058BG02 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F151AA03 ,  5F151BA11 ,  5F151CA12 ,  5F151CA32 ,  5F151CB11 ,  5F151CB18 ,  5F151CB21 ,  5F151CB29 ,  5F151DA03 ,  5F151DA10 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04 ,  5F151HA01 ,  5F151HA07
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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