特許
J-GLOBAL ID：200903023183224480
シリコン酸化膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-016783
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214379
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】シリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成する際のシリコン層の表面に荒れ(凹凸)が発生することを防止でき、且つ、シリコン層の表面にドライ酸化膜を形成することなく、特性の優れたシリコン酸化膜を形成することができ、しかも、比較的厚いシリコン酸化膜を短い時間で形成することを可能にするシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、シリコン層の表面からシリコン原子が脱離しない雰囲気温度にて、湿式ガスを用いた酸化法によって該シリコン層の表面にシリコン酸化膜の形成を開始し、所望の厚さになるまでシリコン酸化膜を形成する工程から成り、湿式ガスの圧力を1.013×105Paを越える圧力とする。
請求項（抜粋）：
シリコン層の表面からシリコン原子が脱離しない雰囲気温度にて、湿式ガスを用いた酸化法によって該シリコン層の表面にシリコン酸化膜の形成を開始し、所望の厚さになるまでシリコン酸化膜を形成する工程から成り、湿式ガスの圧力を1.013×105Paを越える圧力とすることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 E
, H01L 21/316 S
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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