探索装置および探索方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人藤央特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-184386
公開番号（公開出願番号）：特開2018-049936
出願日： 2016年09月21日
公開日（公表日）： 2018年03月29日
要約：

【課題】半導体処理装置の運用の効率化を図ること。【解決手段】探索装置は、半導体処理装置に設定される条件又は半導体処理装置により半導体が処理された結果を示す目標値と、条件と結果との範囲により規定される探索領域内における条件又は結果のうち目標値が示す方の基準値と、の入力を受付け、探索領域内の条件の設定値と、当該設定値を半導体処理装置に与えた場合の結果の実測値と、に基づいて、条件と結果との関係を示す予測モデルを生成し、予測モデルに目標値を与えることにより予測モデルから予測値を取得し、予測値の存在領域を探索領域から特定し、予測値に対応する結果の実測値が基準値よりも目標値に近いか否かを判断し、実測値の方が目標値に近いと判断された場合、予測値を基準値に設定し、予測値の存在領域を探索領域に設定し、実測値が目標値の達成条件を充足した場合に達成条件を充足した予測値を出力する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体を処理する半導体処理装置に設定される条件または前記半導体処理装置により前記半導体が処理された結果を示す目標値と、前記条件と前記結果との範囲により規定される探索領域内における前記条件または前記結果のうち前記目標値が示す方の基準値と、の入力を受け付ける入力部と、前記探索領域内の前記条件の設定値と、当該設定値を前記半導体処理装置に与えた場合の前記結果の実測値と、に基づいて、前記条件と前記結果との関係を示す予測モデルを生成する生成部と、前記生成部によって生成された予測モデルに、前記入力部に入力された目標値を与えることにより、前記予測モデルから予測値を取得し、前記予測値の存在領域を前記探索領域から特定する特定部と、前記予測値に対応する前記結果の実測値が前記入力部に入力された基準値よりも前記目標値に近いか否かを判断する判断部と、前記判断部によって前記予測値に対応する前記結果の実測値の方が前記目標値に近いと判断された場合、前記予測値を前記基準値に設定し、前記特定部によって特定された前記予測値の存在領域を前記探索領域に設定する設定部と、前記予測値に対応する前記結果の実測値が前記目標値の達成条件を充足した場合に前記達成条件を充足した予測値を出力する出力部と、を有することを特徴とする探索装置。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , G06N 99/00 , G06Q 50/04

FI (3件)：

H01L21/02 Z , G06N99/00 180 , G06Q50/04

Fターム (1件)：

5L049CC03

引用特許：

出願人引用 (4件)

プラズマ処理装置および処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-323794 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立ハイテクノロジーズ
半導体製造プロセス安定化支援システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-056611 出願人：株式会社日立製作所
基板処理管理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-141174 出願人：株式会社日立国際電気

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