半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-098800
公開番号（公開出願番号）：特開2018-142730
出願日： 2018年05月23日
公開日（公表日）： 2018年09月13日
要約：

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層と、半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第1の導電層と第2の導電層とで積層されたゲート電極を含むゲート配線と、半導体層と前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、半導体層と電気的に接続され、第3の導電層と第4の導電層とで積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第1の導電層で形成され、ゲート配線は、第1の導電層と第2の導電層で形成され、ソース電極は、第3の導電層で形成され、ソース配線は、第3の導電層と第4の導電層で形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャネル形成領域を有する半導体層と、前記半導体層と電気的に接続された第1の電極と、前記半導体層と電気的に接続された第2の電極と、前記半導体層上、前記第1の電極上、及び前記第2の電極上の第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜を介して、前記チャネル形成領域と重なる領域を有する第3の電極と、前記第3の電極上の第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に接し、前記第3の電極を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有する第4の電極と、前記第2の絶縁膜上に接し、且つ前記第4の電極と同じ材料を有する第5の電極と、前記第2の絶縁膜上に接し、且つ前記第4の電極と同じ材料を有する第6の電極と、を有し、前記第2の電極は、前記第5の電極と重なる領域を有し、前記第3の電極は、前記第6の電極と重なる領域を有し、前記第4の電極は、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記第1の電極と接する領域を有し、前記開口部は、前記半導体層と重ならず、前記第3の電極は、透光性を有し、前記第4の電極は、透光性を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , H05B 33/22 , H05B 33/02

FI (8件)：

H01L29/78 612C , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , H05B33/22 Z , H05B33/02

Fターム (158件)：

2H192AA24 , 2H192AA43 , 2H192BA13 , 2H192BC24 , 2H192BC31 , 2H192CB02 , 2H192CB37 , 2H192CB45 , 2H192CB53 , 2H192CB71 , 2H192CB83 , 2H192CC04 , 2H192CC32 , 2H192CC42 , 2H192CC72 , 2H192DA12 , 2H192DA24 , 2H192DA43 , 2H192DA52 , 2H192EA67 , 2H192FB03 , 2H192FB22 , 2H192FB27 , 2H192FB33 , 2H192FB46 , 2H192GD61 , 2H192HA13 , 2H192HA44 , 2H192HA82 , 2H192HA84 , 2H192HA90 , 2H192JA06 , 2H192JA07 , 2H192JA13 , 2H192JA17 , 2H192JA24 , 2H192JA25 , 2H192JA32 , 2H192JA53 , 2H192JA62 , 2H192JA64 , 3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107CC05 , 3K107CC14 , 3K107CC33 , 3K107CC35 , 3K107CC36 , 3K107CC45 , 3K107DD90 , 3K107EE04 , 5F110AA03 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA09 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110EE37 , 5F110EE38 , 5F110EE44 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ30 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110HM03 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110HM18 , 5F110HM19 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN44 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (6件)

表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-213024 出願人：三菱電機株式会社
薄膜トランジスタパネル
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-054402 出願人：カシオ計算機株式会社
有機発光表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-293175 出願人：三星エスディアイ株式会社

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審査官引用 (6件)

表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-213024 出願人：三菱電機株式会社
薄膜トランジスタパネル
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-054402 出願人：カシオ計算機株式会社
有機発光表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-293175 出願人：三星エスディアイ株式会社

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