研究者
J-GLOBAL ID:201901000703183102   更新日: 2024年04月17日

影島 博之

カゲシマ ヒロユキ | Kageshima Hiroyuki
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (4件): 電気電子材料工学 ,  半導体、光物性、原子物理 ,  ナノ構造物理 ,  薄膜、表面界面物性
競争的資金等の研究課題 (10件):
  • 2021 - 2025 エピタキシャルグラフェンを用いた高出力テラヘルツLEDの実現
  • 2021 - 2024 結晶成長による2Dヘテロ構造のデザイン
  • 2015 - 2019 量子井戸構造に基づく2次元金属薄膜への磁気機能の誘導とその応用展開
  • 2014 - 2017 異種機能集積化グラフェンデバイス構成法の研究
  • 2010 - 2012 数層グラフェン薄膜の局所電子・機械物性制御
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論文 (223件):
  • Ryo Imamura, Hiroyuki Kageshima. First-principles study on shape of intrinsic hBN island nucleated during CVD initial growth on Cu(111). Japanese Journal of Applied Physics. 2024
  • Hayate Murakami, Fumiya Fukunaga, Motoki Ohi, Kosuke Kubo, Takeru Nakagawa, Hiroyuki Kageshima, Yasuhide Ohno, Masao Nagase. Twist angle dependence of graphene-stacked junction characteristics. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
  • Hiroyuki Kageshima, Toru Akiyama, Kenji Shiraishi. First-principles study on barrier height of silicon emission from interface into oxide during silicon thermal oxidation. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 4. 04SP08-04SP08
  • Toru Akiyama, Hiroyuki Kageshima, Kenji Shiraishi. Reaction of NO molecule at 4H-SiC/SiO2 interface and its orientation dependence: a first-principles study. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 3. 03SP80-03SP80
  • Masahiro Hori, Jinya Kume, Manjakavahoaka Razanoelina, Hiroyuki Kageshima, Yukinori Ono. Electrical control of transient formation of electron-hole coexisting system at silicon metal-oxide-semiconductor interfaces. Communications Physics. 2023. 6. 1
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MISC (103件):
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受賞 (4件):
  • 2020/09 - 応用物理学会 応用物理学会フェロー 計算科学による半導体デバイス材料の設計指針の研究
  • 2016/08 - 日本結晶成長学会 日本結晶成長学会「第33回論文賞」
  • 2000/09 - 応用物理学会 第22回応用物理学会賞 (2000年度) JJAP論文賞
  • 1997/12 - Material Research Society Best Poster Paper Award of the 1997 Fall Meeting of the Materials Research Society, Boston, USA
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