研究者
J-GLOBAL ID：201901019167724718
更新日: 2022年06月29日
石原 聖也
イシハラ セイヤ | Ishihara Seiya
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所属機関・部署：
国立研究開発法人科学技術振興機構 戦略研究推進部 グリーンイノベーショングループ
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職名：
主査
研究分野 (1件)：
薄膜、表面界面物性
研究キーワード (4件)：
半導体
, 遷移金属ダイカルコゲナイド
, 層状物質
, 結晶成長
論文 (20件)：
Kentaro Matsuura, Jun'Ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi. Chip-Level-Integrated nMISFETs with Sputter-Deposited-MoS
2
Thin Channel Passivated by Al
2
O
3
Film and TiN Top Gate. 2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings. 2018. 104-106
Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi. Low-Carrier-Density Sputtered MoS2 Film by Vapor-Phase Sulfurization. Journal of Electronic Materials. 2018. 47. 7. 3497-3501
Yusuke Hibino, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura. Investigation on Mo1-xWxS2 fabricated by co-sputtering and post-deposition sulfurization with (t-C4H9)2S2. Japanese Journal of Applied Physics. 2018. 57. 6
Kentaro Matsuura, Jun'Ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi. Sputter-deposited-MoS
2
n MISFETs with top-gate and Al
2
O
3
passivation under low thermal budget for large area integration. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2018. 6. 1. 1251-1257
S. Ishihara, Y. Hibino, N. Sawamoto, H. Machida, H. Wakabayashi, A. Ogura. MOCVD of Monolayer MoS2 using Novel Molybdenum Precursor i-Pr2DADMo(CO)3. MRS Advances. 2018. 3. 6-7. 379-384
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MISC (37件)：
日比野祐介, 日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 小柳有矢, 澤本直美, 松浦賢太郎, 坂本拓朗, 濱田昌也, 若林整, et al. スパッタ法による2次元層状物質成長. 日本表面真空学会学術講演会講演要旨集. 2018. 2018. 13
日比野祐介, 日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 小柳有矢, 澤本直美, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, et al. 共スパッタ法と硫化によって作製したMoS
2(1-x)
Te
2x
膜の構造評価. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.18a-224B-8
小柳有矢, 石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 若林整, 小椋厚志. DCバイアススパッタ法を用いて作製したMoS
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膜のラマン分光評価. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.18a-224B-9
松浦賢太朗, 清水淳一, 外山真矢人, 大橋匠, 宗田伊理也, 石原聖也, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整. 大面積集積化に向けたスパッタMoS
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薄膜を用いたTop-Gate nMISFETs. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.19p-233-6
横川凌, 横川凌, 小原田賢聖, 吉岡和俊, 石原聖也, 石原聖也, 臼田宏治, 小椋厚志. 液浸ラマン分光法で観測される高濃度SiGeラマンスペクトルのブロードピークを利用したGe濃度定量. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.18p-235-13
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書籍 (1件)：
カルコゲナイド系層状物質の最新研究
シーエムシー出版 2016 ISBN:9784781311661
学歴 (3件)：
明治大学 理工学部
明治大学大学院 理工学研究科 博士前期課程
明治大学大学院 理工学研究科 博士後期課程
学位 (1件)：
博士(工学)
経歴 (2件)：
2019/04 - 現在 科学技術振興機構 職員
日本学術振興会 特別研究員(DC1)
所属学会 (2件)：
米国材料学会
, 応用物理学会
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