HIBINO Yusuke について
Meiji Univ., Kawasaki, JPN について
ISHIHARA Seiya について
Meiji Univ., Kawasaki, JPN について
ISHIHARA Seiya について
Japan Soc. for the Promotion of Sci., Tokyo, JPN について
SAWAMOTO Naomi について
Meiji Univ., Kawasaki, JPN について
OHASHI Takumi について
Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN について
MATSUURA Kentarou について
Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN について
MACHIDA Hideaki について
Gas-Phase Growth Ltd., Tokyo, JPN について
ISHIKAWA Masato について
Gas-Phase Growth Ltd., Tokyo, JPN について
SUDOH Hiroshi について
Gas-Phase Growth Ltd., Tokyo, JPN について
WAKABAYASHI Hitoshi について
Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN について
OGURA Atsushi について
Meiji Univ., Kawasaki, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics について
スパッタリング について
硫化 について
タングステン化合物 について
モリブデン化合物 について
X線光電子分光法 について
Ramanスペクトル について
比率 について
バンドギャップ について
吸収端 について
同時スパッタリング について
原子比 について
金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造 について
半導体の可視・紫外スペクトル について
同時スパッタリング について
ポジション について
硫化 について
研究 について