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J-GLOBAL ID：201902259201154923   整理番号：19A0466137

大面積集積のための低熱収支下でのトップゲートおよびAl_2O_3不動態化によるスパッタ蒸着MOS_2N MISFET【JST・京大機械翻訳】

Sputter-Deposited-MoS₂ ${n}$ MISFETs With Top-Gate and Al₂O₃ Passivation Under Low Thermal Budget for Large Area Integration

著者 (10件)： Matsuura Kentaro (Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan) ,  Shimizu Jun’Ichi (Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan) ,  Toyama Mayato (Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan) ,  Ohashi Takumi (Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan) ,  Muneta Iriya (Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan) ,  Ishihara Seiya (School of Science and Technology, Meiji University, Kawasaki, Japan) ,  Kakushima Kuniyuki (Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan) ,  Tsutsui Kazuo (Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan) ,  Ogura Atsushi (School of Science and Technology, Meiji University, Kawasaki, Japan) ,  Wakabayashi Hitoshi (Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 6  ページ： 1246-1252  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型動作を有するスパッタ蒸着MoS_2膜を有する大面積集積トップゲートn MISFETを作製した。スパッタリング法により,硫黄空格子点を補償するためのH_2Sアニーリングに続く大面積MoS_2薄膜を形成することができた。ALD-Al_2O_3の2つの不動態化膜は,MoS_2チャンネルのプロセス耐久性を強化した。したがって,著者らは,TiNトップゲートn MISFETを実証した。それは,MoS_2チャネルFETによる産業チップレベルLSIを実現するための実質的第一ステップである。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *MISFET ,  耐久性 ,  硫黄 ,  焼なまし ,  LSI【IC】 ,  熱収支 ,  薄膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  不動態皮膜 ,  *不動態化
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  *トップゲート ,  *大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 大面積 ,  集積 ,  熱収支 ,  トップ ,  ゲート ,  不動態化 ,  スパッタ蒸着 ,  MISFET