研究者
J-GLOBAL ID:201901019940361859   更新日: 2024年11月20日

金子 光顕

カネコ ミツアキ | Mitsuaki Kaneko
所属機関・部署:
職名: 助教
ホームページURL (1件): http://semicon.kuee.kyoto-u.ac.jp/
研究分野 (1件): 電気電子材料工学
研究キーワード (4件): 炭化ケイ素 ,  結晶成長 ,  電子デバイス ,  ワイドギャップ半導体
競争的資金等の研究課題 (5件):
  • 2021 - 2026 ロバストエレクトロニクスを目指したSiC半導体の学理深化
  • 2021 - 2024 SiC集積回路の超広温域における論理閾値電圧安定化
  • 2021 - 2022 学理に基づく高品質SiC/酸化膜界面の形成とロバストデバイスへの展開
  • 2019 - 2021 厳環境動作SiCハイブリッド集積回路の開発
  • 2014 - 2017 窒化アルミニウムガリウム超格子のコヒーレント成長機構解明とデバイス応用基礎
論文 (48件):
  • T. Kimoto, M. Kaneko, K. Tachiki, K. Ito, K. Mikami, H. Fujii, A. Inoue, N. Maeda. An Overview of SiC High-Voltage Power Devices and High-Temperature ICs. 2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS). 2024. 88-94
  • Shota Kozakai, Haruki Fujii, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto. Depth profiles of electron and hole traps generated by reactive ion etching near the surface of 4H-SiC. Journal of Applied Physics. 2024. 136. 9. 095702-095702
  • Shion Toshimitsu, Keita Tachiki, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto. Demonstration of SiC n-channel MOSFETs fabricated on a high-purity semi-insulating substrate and investigation of the short-channel effects. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 9. 090905-090905
  • Ryoya Ishikawa, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto. Estimation of Electron Drift Mobility along the <i>c</i>-Axis in 4H-SiC by Using Vertical Schottky Barrier Diodes. Solid State Phenomena. 2024. 360. 205-210
  • Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto. High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces. IEEE Electron Device Letters. 2024. 45. 7. 1113-1116
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MISC (4件):
特許 (4件):
講演・口頭発表等 (37件):
  • SiC High-Voltage Power Devices and High-Temperature Ics
    (2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium 2024)
  • Tunneling Phenomena and Ohmic Contact Formation at Non-Alloyed Metal/Heavily-Doped SiC Interfaces
    (Pacific Rim Meeting of Electrochemical and Solid State Science 2024 2024)
  • Impacts of Anisotropic Material Properties on Performance of SiC Power Devices
    (Pacific Rim Meeting of Electrochemical and Solid State Science 2024 2024)
  • Doping-dependent fixed charges in SiC MOSFETs
    (21st International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2024) 2024)
  • Mobility enhancement in SiC n- and p-channel MOSFETs
    (21st International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2024) 2024)
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学歴 (2件):
  • 2012 - 2016 京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻
  • 2008 - 2012 京都大学 工学部 電気電子工学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (京都大学)
経歴 (5件):
  • 2019/01 - 現在 京都大学大学院 助教
  • 2017/12 - 2018/12 スイス連邦工科大学 日本学術振興会海外特別研究員
  • 2017/04 - 2017/12 京都大学大学院 特定研究員(PD)
  • 2016/10 - 2017/03 京都大学大学院 日本学術振興会特別研究員(PD)
  • 2014/04 - 2016/09 京都大学大学院 日本学術振興会特別研究員(DC1)
委員歴 (5件):
  • 2024/04 - 現在 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 幹事
  • 2020/04 - 2024/03 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 (常任) 会計幹事
  • 2023/03 - 2023/10 第42回EMS 会場委員
  • 2022/03 - 2022/10 第41回EMS 会場委員
  • 2019/01 - 2019/10 ICSCRM 2019組織委員
受賞 (9件):
  • 2024/10 - ICSCRM2024 program comittee The John Palmour Best Student Paper Award Doping-dependent fixed charges in SiC MOSFETs
  • 2023/10 - IEEE EDS Kansai Chapter The 23rd IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Award SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Operation at 623 K,” IEEE Electron Device Lett., 43, 997 (2022)
  • 2023/09 - ICSCRM2023 program comittee The John Palmour Best Student Paper Award Depth profiles of deep levels in the whole band gap generated by reactive ion etching near the surface of 4H-SiC
  • 2023/06 - 安藤研究所 第36回安藤博記念学術奨励賞 炭化ケイ素を用いた低消費電力厳環境動作ICの研究
  • 2020/04 - 公益財団法人船井情報科学振興財団(FFIT) 船井研究奨励賞 界面不整転位導入による歪み制御窒化アルミニウム結晶の成長と物性解明
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