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J-GLOBAL ID：201902210933599048   整理番号：19A0491353

近赤外,中赤外及びTHzスペクトル範囲における半絶縁性,n型及びp型アンモニア熱GaN基板の透明性【JST・京大機械翻訳】

Transparency of Semi-Insulating, n-Type, and p-Type Ammonothermal GaN Substrates in the Near-Infrared, Mid-Infrared, and THz Spectral Range

著者 (7件)： Kucharski Robert (AMMONO S. A, Prusa 2, 00-493 Warsaw, Poland) ,  Janicki Lukasz (Department of Experimental Physics, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Zajac Marcin (AMMONO S. A, Prusa 2, 00-493 Warsaw, Poland) ,  Welna Monika (Department of Experimental Physics, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Motyka Marcin (Department of Experimental Physics, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Skierbiszewski Czeslaw (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Science, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Kudrawiec Robert (Department of Experimental Physics, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland)
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 7  号： 7  ページ： 187  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンモニア熱法で成長させたGaN基板を高速Fourier変換分光法により解析し,近赤外,中赤外,およびテラヘルツスペクトル領域におけるそれらの透明度に及ぼすドーピング(n型とp型)の影響を調べた。ドーパントの導入は,自由キャリア(n型試料)またはドーパントイオン化(p型試料)への吸収に起因する広いスペクトル範囲におけるGaN基板の透明度の減少を引き起こすことを示した。中間赤外において,半絶縁性GaNに対する透明カットオフは,光学フォノンの第二高調波の吸収により~7μmであり,n1020cm-3ドーピングレベルで1μmまでの自由キャリアへの吸収により短波長側にシフトした。さらに,半絶縁性GaN結晶は1~10THz範囲で良好な透明性を示したが,n型およびp型結晶では,このスペクトル領域の透明度は1%以下で著しく消光された。さらに,1018cm-3以下のキャリア濃度をもつ可視スペクトル領域n型GaN基板において,450nmで3cm-1以下の吸収係数,このスペクトル範囲で動作する発光ダイオードとレーザダイオードに対する満足な条件,が非常に透明であることを示した。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーパント ,  *基板 ,  *スペクトル ,  *窒化ガリウム ,  *赤外線 ,  *近赤外線 ,  高速度 ,  結晶 ,  半導体レーザ ,  イオン化 ,  ドーピング ,  可視スペクトル ,  *アンモニア
準シソーラス用語： 短波長 ,  自由キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN ,  赤外スペクトル範囲 ,  THzスペクトル範囲 ,  自由キャリア吸収

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  その他の光学的効果  (BM08040H) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (26件)：

• Cooke, H.F. High-Power GaAs FET Amplifiers; Artech House: Norwood, MA, USA, 1993; pp. 227-261.
• Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G.B.; Lin, M.E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies. J. Appl. Phys. 1994, 76, 1363-1398.
• Liu, L.; Edgar, J.H. Substrates for gallium nitride epitaxy. Mater. Sci. Eng. R Rep. 2002, 37, 61-127.
• Dwiliński, R.; Doradziński, R.; Garczyński, J.; Sierzputowski, L.P.; Puchalski, A.; Kanbara, Y.; Yagi, K.; Minakuchi, H.; Hayashi, H. Excellent crystallinity of truly bulk ammonothermal GaN. J. Cryst. Growth 2008, 310, 3911-3916.
• Kucharski, R.; Zajac, M.; Puchalski, A.; Sochacki, T.; Bockowski, M.; Weyher, J.L.; Iwinska, M.; Serafinczuk, J.; Kudrawiec, R.; Siemiątkowski, Z. Ammonothermal growth of GaN crystals on HVPE-GaN seeds prepared with the use of ammonothermal substrates. J. Cryst. Growth 2015, 427, 1-6.

タイトルに関連する用語 (6件)： 近赤外 ,  スペクトル ,  半絶縁性 ,  アンモニア ,  GaN ,  透明性