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J-GLOBAL ID：201902211049904256   整理番号：19A0182622

高アスペクト比犠牲シリコンナノ構造を通して形成した多材料ナノ多孔性膜【JST・京大機械翻訳】

Multimaterial Nanoporous Membranes Shaped through High Aspect-Ratio Sacrificial Silicon Nanostructures

著者 (4件)： Varricchio Stefano S. G. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Switzerland) ,  Piacentini Niccolo (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Switzerland) ,  Bertsch Arnaud (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Switzerland) ,  Renaud Philippe (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Switzerland)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 2  号： 6  ページ： 2387-2394  発行年： 2017年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 犠牲シリコンナノ構造のキャスティングに基づく固体ナノ多孔質膜のための革新的な作製法を示した。このプロセスは,電子ビームリソグラフィを通して各ナノ細孔の幾何学と配置の個々の定義を可能にし,使用される材料にプロセスを適合させる必要のない広い範囲の材料と互換性がある。長さ30nm,長さ1.2μm,円形または細長い形状をもつ臨界寸法をもつ高アスペクト比ナノ細孔を集積した膜の作製を実証し,二酸化ケイ素または非晶質炭素から作製した。種々の材料で作られ,調整された設計によって作られたナノ多孔性膜を技術化する能力は,ナノ細孔の電気化学的センシング,流れ変調,または化学的機能化の分野での新しい応用をもたらすであろう。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気化学 ,  幾何学 ,  *ナノ構造 ,  互換性 ,  二酸化ケイ素 ,  電子ビームリソグラフィー ,  *ケイ素 ,  鋳造
準シソーラス用語： アモルファスカーボン ,  臨界寸法 ,  ナノ細孔 ,  ナノポーラス ,  ナノ多孔性膜 ,  *高アスペクト比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高アスペクト比 ,  犠牲 ,  シリコン ,  ナノ構造 ,  ナノ多孔性膜